"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении
Вайнберг В.В.1, Васецкий В.М.1, Гуденко Ю.Н.1, Порошин В.Н1, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Экспериментально исследована кинетика фотопроводимости в гетероструктурах n-InxGa1-xAs/GaAs с двойными связанными квантовыми ямами и delta-легированием в одной из них при межзонном возбуждении. Показано, что долговременный спад фотопроводимости, наблюдаемый в интервале температур от 10 до 70 K, обусловлен хаотическим потенциалом, связанным с флуктуациями состава в слоях квантовых ям.
  1. Н.В. Байдусь, В.В. Вайнберг, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин, О.Г. Сарбей. ФТП, 46, 649 (2012)
  2. F. Martelli, A. Polimeni, M. Gurioli, M. Colocci, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 53, 7421 (1996)
  3. F.Y. Tsai, C.P. Lee, O. Voskoboynikov, H.H. Cheng, Jinxi Shen, Yasuo Oka. J. Appl. Phys., 89, 7875 (2001)
  4. L.C. Tsai, C.F. Huang, J.C. Fan, Y.H. Chang, Y.F. Chen, W.C Tsai, C.Y. Chang. J. Appl. Phys., 84, 877 (1998)
  5. Т.T. Chen, W.S. Su, Y.F. Chen, P.W. Liu, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett., 85, 1526 (2004)
  6. А.А. Ронасси, А.К. Федотов. Вестн. БГУ, сер. 1, N 2, 8 (2010)
  7. A.S. Dissanayake, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Phys. Rev. B, 48, 8145 (1993)
  8. Н.В. Байдусь, С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев. Матер. совещ. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, Изд-во ИФМ РАН, 2011) т. 2, с. 531
  9. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.