Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 8
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М.
Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование радиационных дефектов
897
Вилисова М.Д., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Субач С.В., Якубеня М.П., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В.
Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
900
Электронные и оптические свойства полупроводников
Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г.
Краевая фотолюминесценция сильно легированного In
x
Ga
1-x
As
1-y
P
y
(lambda=1.2 мкм)
907
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Ермолаев А.В., Бондаревский С.И.
Положение примесных атомов сурьмы в решетке PbS, определенное методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе
119
Sb(
119m
Sn)
913
Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Спирин А.И., Сушков С.А.
Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью
916
Лукьяница В.В.
Определение энергетических уровней элементарных первичных дефектов в кремнии
921
Башелейшвили З.В., Пагава Т.А.
Влияние внешнего электрического поля и энергии облучения на эффективность образования пар Френкеля в кристаллах кремния
924
Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Соловьев С.П.
Электрофизические свойства InSb, облученного быстрыми нейтронами реактора
927
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А.
Лавинные светодиодные структуры на основе монокристаллического Si : Ho : O, работающие при комнатной температуре
931
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В.
Электропроводность изолирующего слоя на поверхности полупроводника, обусловленная электронно-ионным взаимодействием у межфазной границы
933
Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В., Пихтин А.Н., Бугге Ф.
Определение величины разрыва валентной зоны и ее температурной зависимости в изотипных гетеропереходах p-Al
x
Ga
1-x
As / p-Al
y
Ga
1-y
As из C-V-измерений
940
Архипов В.И., Никитенко В.Р.
Эффект вспышечной кинетики электролюминесценции в органических полупроводниках, обусловленный ланжевеновской рекомбинацией
945
Венгер Е.Ф., Миленин В.В., Ермолович И.Б., Конакова Р.В., Иванов В.Н., Войциховский Д.И.
Особенности формирования и термическая стабильность контактов, образованных боридами и нитридами титана с арсенидом галлия
948
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фоточувствительность структур, созданных термообработкой CuInSe
2
в разных средах
954
Лебедев А.А., Давыдов Д.В., Зеленин В.В., Корогодский М.Л.
Исследование влияния обработки поверхности полупроводника на характеристики 6H-SiC диодов Шоттки
959
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В.
Транспорт свободных ионов в слое диэлектрика и эффекты электронно-ионного обмена у межфазной границы диэлектрик--полупроводник при термостимулированной ионной деполяризации кремниевых МОП структур
962
Низкоразмерные системы
Карева Г.Г.
Превращение структуры металл--окисел--кремний в резонансно-туннельную структуру с квазинульмерными квантованными состояниями
969
Цацульников А.Ф., Бедарев Д.А., Воловик Б.В., Иванов С.В., Максимов М.В., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н, Мельцер Б.Я., Соловьев В.А., Копьев П.С., Чернышов А.Ю., Белоусов М.В.
Формирование двумерных наноостровков при осаждении сверхтонких слоев InSb на поверхность GaSb
973
Сучалкин С.Д., Васильев Ю.Б., Иванов С.В., Копьев П.С.
Субмиллиметровая фотопроводимость двумерных электронных структур в геометрии Корбино
976
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Преображенский В.В., Смирнов И.Ю., Торопов А.И.
Взаимодействие поверхностных акустических волн с двумерным электронным газом в условиях спинового расщепления зон Ландау
979
Миньков Г.М., Негашев С.А., Рут О.Э., Германенко А.В., Хрыкин О.И., Шашкин В.И., Данильцев В.М.
Новый подход к анализу отрицательного магнитосопротивления в 2D структурах
986
Воловик Б.В., Цацульников А.Ф., Бедарев Д.А., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Малеев Н.А., Мусихин Ю.Г., Суворова А.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д., Вернер П.
Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распаде твердого раствора на напряженных островках
990
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Воронков Э.Н.
Импульсный пробой пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в присутствии магнитного поля
996
Машин А.И., Хохлов А.Ф.
Мультисвязи в безводородном аморфном кремнии
1001
Есаев Д.Г., Синица С.П., Чернявский Е.В.
Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As (BIB-II)
1005
Физика полупроводниковых приборов
Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной области 3/ 5 мкм
1010
Данилова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Пространственные колебания потока излучения в полосковых лазерах на основе гетеропереходов InAsSb/InAsSbP
1014
Ковш А.Р., Жуков А.Е., Малеев Н.А., Михрин С.С., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Максимов М.В., Воловик Б.В., Бедарев Д.А., Шерняков Ю.М., Кондратьева Е.Ю., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д.
Лазерная генерация с длиной волны излучения в районе 1.3 мкм в структурах на основе квантовых точек InAs
1020
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук