Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной области 3/ 5 мкм

Зотова Н.В.¹, Карандашев С.А.¹, Матвеев Б.А.¹, Ременный М.А.¹, Стусь Н.М.¹, Талалакин Г.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Исследовано влияние примеси гадолиния на электрические и люминесцентные характеристики эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов n-InGaAsSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs. Введение в раствор-расплав гадолиния в интервале концентраций 0<X^l_Gd=< 0.14 ат% приводит к уменьшению концентрации электронов в слоях InGaAsSb от (3/ 6)· 10¹⁶ до (7/ 8)10¹⁵ см^-3 и росту подвижности носителей от 32 000 до 61 500 cм²/(B·c) (T=77 K). Обнаружено также уменьшение полуширины спектров фотолюминесценции от 25 до 12 мэВ и рост их интенсивности до 10 раз (T=77 K). Интенсивность электролюминесценции светодиодов на основе легированных гадолинием эпитаксиальных структур n-InGaAsSb / p-InAs (T=300 K) увеличивалась в ~ 2 раза по сравнению с нелегированными образцами.

К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, С.А. Карпенко, В.В. Мамутин, Р.П. Сейсян. ФТП, 17, 2148 (1983)
Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, Ю.П. Толпаров, А.Е. Шубин. ФТП, 18, 83 (1984)
А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, Р. Кумар, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарев. ФТП, 22, 35 (1988)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.Е. Саморуков, Н.А. Стругов. ФТП, 22, 147 (1988)
В.В. Воробьева, М.В. Егорова, Л.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 23, 1699 (1989)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993)
А.Т. Гореленок, М.В. Шпаков. ФТП, 30, 488 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель