Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной области 3/ 5 мкм
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Исследовано влияние примеси гадолиния на электрические и люминесцентные характеристики эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов n-InGaAsSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs. Введение в раствор-расплав гадолиния в интервале концентраций 0<XlGd=< 0.14 ат% приводит к уменьшению концентрации электронов в слоях InGaAsSb от (3/ 6)· 1016 до (7/ 8)1015 см-3 и росту подвижности носителей от 32 000 до 61 500 cм2/(B·c) (T=77 K). Обнаружено также уменьшение полуширины спектров фотолюминесценции от 25 до 12 мэВ и рост их интенсивности до 10 раз (T=77 K). Интенсивность электролюминесценции светодиодов на основе легированных гадолинием эпитаксиальных структур n-InGaAsSb / p-InAs (T=300 K) увеличивалась в ~ 2 раза по сравнению с нелегированными образцами.
- К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, С.А. Карпенко, В.В. Мамутин, Р.П. Сейсян. ФТП, 17, 2148 (1983)
- Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, Ю.П. Толпаров, А.Е. Шубин. ФТП, 18, 83 (1984)
- А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, Р. Кумар, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарев. ФТП, 22, 35 (1988)
- Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.Е. Саморуков, Н.А. Стругов. ФТП, 22, 147 (1988)
- В.В. Воробьева, М.В. Егорова, Л.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 23, 1699 (1989)
- А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993)
- А.Т. Гореленок, М.В. Шпаков. ФТП, 30, 488 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.