Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 11

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Гурский А.Л., Рябцев Г.И.

Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN

1281

Сибирёв Н.В., Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М.

О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения

1286

Электронные и оптические свойства полупроводников

Клевков Ю.В., Колосов С.А., Кривобок В.С., Мартовицкий В.П., Николаев С.Н.

Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe

1291

Алиев Ф.Ф., Джафаров М.Б.

Энергетический спектр носителей заряда в Ag₂Te

1297

Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Голощапов С.И.

Электронный парамагнитный резонанс взаимодействующих спинов в n-Ge II. Изменение ширины и формы линий

1301

Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Гришин В.В.

Электрические и гальваномагнитные свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях

1309

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Парфенюк О.А., Илащук М.И., Ульяницкий К.С.

Образование омических контактов к низкоомному Cd_1-xMg_xTe для фотовольтаических применений

1314

Давыдов С.Ю., Трошин А.В.

Роль спонтанной поляризации в формировании структур NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC на основе политипов карбида кремния

1318

Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Сидор О.Н., Маслюк В.Т.

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12.5 МэВ

1321

Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В.

Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

1327

Сутурин С.М., Банщиков А.Г., Соколов Н.С., Тягинов С.Э., Векслер М.И.

Статические вольт-амперные характеристики туннельных МДП структур Au/CaF₂/n-Si(111)

1333

Шашкин В.И., Востоков Н.В.

Решение задачи инжекции носителей тока в изолирующий слой при самосогласованных граничных условиях на контактах

1339

Бессолов В.Н., Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Поссе Е.А.

Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In--n-GaN от концентрации основных носителей заряда

1345

Низкоразмерные системы

Решина И.И., Иванов С.В.

Магнитооптика одиночной квантовой ямы CdMnSe/CdMgSe

1348

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Бордовский Г.А., Марченко А.В., Теруков Е.И., Серегин П.П., Лиходеева Т.В.

Свойства и структура стекол (As₂Se₃)_1-z (SnSe₂)_z-x(Tl₂Se)_x и (As₂Se₃)_1-z(SnSe)_z-x(Tl₂ Se)_x

1353

Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Лебедев В.М.

Влияние электрического поля при получении пленок a-SiO_x : H<Er,O> методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия

1357

Андреев А.А.

Особенности световых вольт-амперных характеристик p-i-n-структур на аморфном кремнии при туннельно-дрейфовом механизме переноса темнового тока

1363

Александрова Е.Л., Иванов А.Г., Геллер Н.М., Надеждина Л.Б., Шаманин В.В.

Светочувствительные свойства металлосодержащих полидисалицилиденазометинов

1367

Физика полупроводниковых приборов

Леликов Ю.С., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Мартынов И.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г.

Измерение коэффициента поглощения света, распространяющегося латерально в светодиодных структурах с квантовыми ямами In_0.2Ga_0.8N/GaN

1371

Емельянов А.М.

Краевая электролюминесценция эффективного точечного кремниевого светодиода в области температур 80-300 K

1375

Боброва Е.А., Омельяновская Н.М.

Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле

1380

Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Леликов Ю.С., Мартынов И.А., Ребане Ю.Т., Белов А.С., Шретер Ю.Г.

Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока

1384

Кашерининов П.Г., Томасов А.А.

Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи и обработки изображений

1391

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Александров О.В., Дусь А.И.

Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции

1400

Учредители

Издатель