Для двуосно-напряженных кластеров GaN квантово-химическим методом в приближении ССП МО ЛКАО рассчитаны структура, заряды и энергии образования собственных вакансий галлия и азота с учетом релаксации кристаллического окружения. Установлено, что применение подложек, вносящих в эпитаксиальный слой напряжения сжатия или растяжения, оказывает влияние на концентрации собственных точечных дефектов вакансионного типа. Наиболее сильно данный эффект проявляется в подрешетке азота в кристаллической решетке GaN, особенно при ее растяжении, т. е. при эпитаксиальном росте нитрида галлия на кремниевой подложке. Перераспределение электронной плотности в области дефекта при сжатии или растяжении решетки может быть причиной изменения положения электронных уровней дефектов в запрещенной зоне кристалла. PACS: 71.15.Ap, 71.55.Eq

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.