"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN
Безъязычная Т.В.1, Зеленковский В.М.1, Гурский А.Л.1, Рябцев Г.И.1
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 18 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Для двуосно-напряженных кластеров GaN квантово-химическим методом в приближении ССП МО ЛКАО рассчитаны структура, заряды и энергии образования собственных вакансий галлия и азота с учетом релаксации кристаллического окружения. Установлено, что применение подложек, вносящих в эпитаксиальный слой напряжения сжатия или растяжения, оказывает влияние на концентрации собственных точечных дефектов вакансионного типа. Наиболее сильно данный эффект проявляется в подрешетке азота в кристаллической решетке GaN, особенно при ее растяжении, т. е. при эпитаксиальном росте нитрида галлия на кремниевой подложке. Перераспределение электронной плотности в области дефекта при сжатии или растяжении решетки может быть причиной изменения положения электронных уровней дефектов в запрещенной зоне кристалла. PACS: 71.15.Ap, 71.55.Eq
  1. J.-Y. Duboz. Phys. Status Solidi A, 176 (1), 5 (1999)
  2. H. Lahruche, P. Vennuguus, O. Totterau, M. Laugt, P. Lorezini, M. Leroux, B. Beaumont, P. Gibart. J. Cryst. Growth, 217, 13 (2000)
  3. Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P. Chen, D.J. Xi, Z.Y. Luo, R. Zhang, B. Shen, Z.Z. Chen, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett., 77, 444 (2000)
  4. A. Strittmatter, A. Krost, M. Strassburg, V. Tuerck, D. Bimberg, J. Blaesing, J. Christen. Appl. Phys. Lett., 74, 1242 (1999)
  5. I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen. Solid State Commun., 101 (10), 747 (1997)
  6. I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 60 (11), 8147 (1999)
  7. S. Limpijumnong, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 69 (3), 1 (2004)
  8. W.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz. J. Comp. Chem., 14, 1347 (1993)
  9. S. Huzinaga, J. Andzelm, M. Klobukowski. Gaussian Basis Sets for Molecular Calculations (Amsterdam, Elsevier, 1984)
  10. T.V. Bezjazychnaja, G.I. Ryabtsev, M.M. Sobolev, V.M. Zelenkovskii. Physica B: Condens. Matter, 340--342, 1133 (2003)
  11. Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, Г.И. Рябцев, М.М. Соболев. ФТП, 38 (2), 213 (2004)
  12. L.S. Vlasenko, C. Bozdog, G.D. Watkins, F. Shahedipour, B.W. Wessels. Phys. Rev. B, 65, 205 202 (2002)
  13. K.H. Chow, L.S. Vlasenko, P. Johannesen, C. Bozdog, G.D. Watkins, A. Usui, H. Sunakawa, Ch. Sasaoka, M. Mizuta. Phys. Rev. B, 69, 045 207 (2004)
  14. P. Johannesen, A. Zakrzewski, L.S. Vlasenko, G.D. Watkins, A. Usui, H. Sunakawa, M. Mizuta. Phys. Rev. B, 69, 045 208 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.