"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
Сибирёв Н.В.1, Дубровский В.Г.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Егоров В.А.1, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Устинов В.М.1,2
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Построена обобщенная модель роста нитевидных нанокристаллов на активированных поверхностях по механизму пар--жидкость--кристалл. Проведены экспериментальные исследования зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au, от скорости осаждения GaAs. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов и показано их хорошее соответствие. Показано, что зависимость высоты кристаллов от скорости осаждения имеет максимум, положение которого определяется прочими условиями осаждения и радиусом капли. В случае нитевидных нанокристаллов GaAs со средним радиусом порядка 20 нм указанный максимум соответствует скорости осаждения 0.5-0.6 монослоев в секунду. PACS: 68.70.+w, 61.46.Hk, 68.55.Ac
  1. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  2. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  3. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004)
  4. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  5. K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 74, 3162 (1993)
  6. W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth. 272, 211 (2004)
  7. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth., 289, 31 (2006)
  8. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  9. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП. 40, 1103 (2006)
  10. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев. Письма ЖТФ, 32 (24), 10 (2006)
  11. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
  12. M.C. Plante, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 286, 394 (2006)
  13. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. J. Cryst. Growth, 304, 504 (2007)
  14. L.E. Froberg, W. Seifert, J. Johansson. Phys. Rev. B, 76, 153 401 (2007)
  15. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  16. J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
  17. F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146 101 (2007)
  18. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B, 77, 035 414 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.