Исследованы электрические, фотоэлектрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe с удельным сопротивлением 3.3·10¹⁰ Ом·см при 77 K. Крупнозернистый ZnTe в форме трубки был синтезирован при 730^oC из паровой фазы в спутных потоках компонентов. Рентгеноструктурный анализ показал присутствие монокристаллических зерен как в направлении [111], так и в направлении [100]. Несмотря на неравновесные условия быстрой кристаллизации, измерения методом рентгеновской дифрактометрии показали неплохое кристаллическое качество. Низкотемпературная фотолюминесценция подтверждает упорядоченное распределение примесей в решетке. Набор примесей ограничивается Cu, Ag, Li, O. Спектры фотопроводимости и фотолюминесценции свидетельствуют о наличии малоизученных центров с уровнями в глубине запрещенной зоны. В областях с низкой плотностью двойников наблюдается высокий квантовый выход фотолюминесценции, отсутствие переходов, связанных с комплексными дефектами, наличие собственного излучения, имеющего ярко выраженную поляритонную структуру, проявление богатой структуры двухдырочных переходов, отсутствующих в кристаллах, полученных в процессе медленного роста. PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 72.80.Ey, 78.55.Et

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.