Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 8
Шик А.Я.
Электродинамика двумерных электронных систем О б з о р
1345
Костин И.В., Осипов Е.Б., Осипова Н.А., Сорокина Н.О.
Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора Sn
As
в GaAs
1382
Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Максимова Н.В., Прокофьева Л.В.
К вопросу об ионизации изоэлектронной примеси олова в разбавленном твердом растворе Pb
1- x
Sn
x
Se : Na
1388
Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Наркулов Н., Сражев С.Н., Тошбоев Т.У.
Влияние быстродиффундирующих примесей на кинетику генерации термодоноров в кремнии при 300--500
o
C
1396
Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Мусаева Н.Н.
Инжекция и полевая ионизация ловушек в монокристаллах MnGa
2
Se
4
1403
Заманова Э.Н., Джафаров М.А.
Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS : Cu
1411
Скипетров Е.П.
Стабилизация донорного действия галлия в сплавах Pb
1- x
Sn
x
Te, облученных электронами
1416
Кузнецов А.Н., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Рогачев Н.А., Теруков Е.И., Щеглов М.П.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AlN/Al
2
O
3
1425
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МДПДМ структуре с туннельно-прозрачным диэлектриком
1430
Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Фалеев Н.Н., Цапульников А.Ф., Копьев П.С.
Влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, выращенных на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1442
Равич Ю.И., Немов С.А., Прошин В.И.
Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в твердых растворах Pb
0.78
Sn
0.22
Te
1448
Добровольский В.Н., Романов А.В., Грязнов С.Б.
Самовыключение тока ударной ионизации в p-- n-переходе
1453
Коваленко А.В., Мекекечко А.Ю.
Стимулированная лазером газофазная эпитаксия ZnSe на GaAs
1461
Махний В.П., Мельник В.В.
Фотоэлектрические свойства контактов Ni--ZnSe
1468
Конников С.Г., Липовский А.А., Никоноров Н.В., Ситникова А.А., Харченко М.В.
Исследование силикатных стекол, легированных микрокристаллами сульфида-селенида кадмия, и оптических волноводов на их основе
1473
Кузьма М., Поцяск М., Шерегий Е., Кемпник В., Фарина М., Цях Р.
Эффект сегрегации ртути при импульсном лазерном отжиге Cd
x
Hg
1- x
Te
1483
Бедный Б.И., Байдусь Н.В.
Сульфидная пассивация поверхности GaAs: открепление уровня Ферми
1488
Гук Е.Г., Шуман В.Б., Зубрилов А.С.
Характеристики солнечных элементов при низких температурах
1494
Белянцев А.М., Романова Ю.Ю.
Междолинный механизм формирования отрицательной дифференциальной проводимости S-типа в коротких гетероструктурах
1498
Жданович Н.С.
О встраивании азота в сетку аморфного гидрированного кремния
1502
Минарский А.М., Родин П.Б.
Аналитическая модель распространения фронта ударной ионизации в диодной структуре большой площади
1506
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
Токоперенос в МДП структурах Pd--SiO
2
--n(p)-Si и второй механизм усиления фототока
1517
Лангер Ежи М., Рыскин А.И.
Вибронное взаимодействие при внутрицентровых переходах в примесных ионах переходных металлов в полупроводниках
1524
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук