"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аналитическая модель распространения фронта ударной ионизации в диодной структуре большой площади
Минарский А.М.1, Родин П.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Исследуется динамика поперечной неустойчивости фронта ударной ионизации в диодной структуре большой площади. В рамках длинноволнового приближения сформулирована аналитическая модель, получены уравнения эволюции функции распределения площади фронта по продольной координате и дано описание динамики распространения неоднородного фронта.
  1. B.C. Deloach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev., 20, 9 (1970)
  2. И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5, 950 (1979)
  3. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. \it Новые методы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  4. I.V. Grekhov. SSE, 32, 923 (1989)
  5. И.В. Грехов, В.М. Ефанов. Письма ЖТФ, 16, вып. 17, 9 (1990)
  6. И.В. Грехов, В.М. Ефанов. Письма ЖТФ, 14, 2121 (1988)
  7. Ю.Д. Биленко, М.Е. Левинштейн, М.В. Попова, В.С. Юферев. ФТП, 17, 1812 (1983)
  8. С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 14, 1526 (1989)
  9. А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20, вып. 12, 38 (1994)
  10. М.И. Дьяконов, В.Ю. Кочаровский. ЖЭТФ, 95, 1850 (1989)
  11. И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Л.С. Костина, С.В. Шендерей. ЖТФ, 51, 1709 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.