Проведены исследования вольт-амперных характеристик и фототока в зависимости от обратного смещения, а также кинетики спада обратного тока в МДП структурах Pd-SiO₂-n(p)-Si с толстым слоем SiO₂ (порядка 1000 Angstrem). Установлено, что токоперенос при высоких уровнях инжекции определяется током, ограниченным объемным зарядом, а полная вольт-амперная характеристика в прямом направлении имеет вид I=alpha₁V+alpha₂V³. Кинетика спада обратного тока имеет дисперсионную форму I~ t^-(1-alpha), где alpha=0.75, и растянута во времени более чем на 2.5 порядка величины. Она объясняется стохастическими процессами захвата и освобождения носителей. Обнаружено усиление фототока при обратном смещении и объяснено экспоненциальным ростом времени жизни одного типа носителей (электронов) вследствие захвата экспоненциально-распределенными ловушками другого типа носителей. Не обнаружено влияния газовой среды с водородом при изготовлении структур на величины фототока и темнового тока, что подтверждает определяющее влияние объемных процессов на токоперенос.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.