Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 12
Колчанова Н.М., Попов А.А., Сукач Г.А., Богословская А.Б.
Тепловые процессы в светодиодных гетероструктурах на основе GaInAsSb
2065
Джакели В.Г.
О захвате носителей заряда на экранированном кулоновском центре
2073
Кисин М.В.
Граничные условия для волновой функции модели Кейна и спин-орбитальное смешивание на гетерогранице
2076
Емельянов А.М., Голубев В.В.
Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si--SiO
2
: эксперимент и модели
2086
Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Огородник А.Д.
Гетеропереходы InSe--In
4
Se
3
с полосой фоточувствительности 1.0--1.8 мкм
2096
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Ремесник В.Г.
Исследование рекомбинации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных структурах p-Cd
x
Hg
1-x
Te/ CdTe СВЧ методом
2099
Вывенко О.Ф., Истратов А.А.
Обнаружение центра с большой решеточной релаксацией в пластически деформированном сульфиде кадмия
2105
Свиркова Н.Н., Феликов В.А., Лигачев В.А.
Условия осаждения и спектр плотности состояний пленок a-Si
1-x
C
x
:H, полученных высокочастотным распылением
2109
Лебедев А.А.
Влияние неоднородного распределения оптически активных центров на спектры поглощения
2120
Васильев В.А., Кумеков М.Е., Тагирджанов М.А., Теруков Е.И.
Фотопроводимость и ударная ионизация в стеклообразных пленках TlAsSe
2
2123
Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотовольтаические свойства оптического гетероконтакта InSe/CuAlS
2
2129
Вавилов В.С., Клюканов А.А., Чукичев М.В., Шаповал О.М., Ававдех А.З., Резванов Р.Р.
Форма примесных полос люминесценции и смешивание фононов и плазмонов
2134
Лигачев В.А., Попов А.И., Стукач С.Н.
Условия получения, структура и свойства гидрированных пленок аморфного углерода
2145
Махкамов Ш., Турсунов Н.А., Ашуров М., Маманова М., Мартынченко С.В.
Исследование влияния радиационной и термической обработки на состояние центров золота в кремнии
2156
Карумидзе Г.С., Шавелашвили Ш.Ш., Чхиквишвили В.Б.
Влияние изотопной концентрации бора на скорость распространения звука в карбиде бора
2162
Бабенцов В.Н., Клецкий С.В., Тарбаев Н.И.
Низкотемпературная диффузия кадмия в p-CdTe: анализ профилей люминесценции и рентгеновского характеристического излучения
2165
Биленко Д.И., Галишникова Ю.Н., Жаркова Э.А., Колдобанова О.Ю., Хасина Е.И.
Проводимость и оптические свойства периодических структур a-Si:H/ a-SiN
x
:H
2171
Феклисова О.В., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А.
Дефектообразование в кремнии, легированном золотом, при облучении низкоэнергетичными электронами
2179
Петров А.Г., Шик А.Я.
Поглощение света дырками в квантовых ямах
2185
Андрианов А.В., Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Ковалев Д.И., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д., Авербух Б.Я.
Усиленное комбинационное рассеяние света в пористом кремнии
2202
Именной указатель
2208
Предметный указатель
2244
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук