Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Усиленное комбинационное рассеяние света в пористом кремнии

Андрианов А.В.¹, Беляков Л.В.¹, Горячев Д.Н.¹, Ковалев Д.И.¹, Сресели О.М.¹, Ярошецкий И.Д.¹, Авербух Б.Я.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано комбинационное рассеяние света в пористом кремнии por-Si, полученном электрохимическим травлением Si n-типа проводимости. Показано, что спектр имеет вид узкой линии (ширина ~ 6 см^-1), мало смещенной относительно линии комбинационного рассеяния кристаллического кремния c-Si (смещение ~ 0.5-1.0 см^-1 в низкочастотную область), а ее интенсивность примерно в 20 раз превосходит сигнал от c-Si. Наблюдаемое усиление может быть объяснено превалирующим вкладом сигнала от нижнего макрокристаллического подслоя por-Si n-типа проводимости, усиленного благодаря возрастанию напряженности электромагнитного поля вблизи шероховатой границы раздела сред с сильно отличающимися диэлектрическими проницаемостями.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
Abstracts of MRS Spring Meeting 1993, Symp. E (1993)
S.S. Iyer, Y.-H. Xie. Science, 260, 40 (1993)
H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, \bf 48, 8172, (1993)
R. Tsu, H. Shen, M. Dutta. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 112 (1992)
А.В. Андрианов, Д.И. Ковалев, В.Б. Шуман, И.Д. Ярошецкий. ФТП, \bf 27, 136 (1993)
J. Campbell, P. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
И.И. Решина, Е.Г. Гук. ФТП, 27, 728 (1993)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, \bf 27, 1815 (1993)
L.T. Canham, W.Y. Leong, M.I.J. Beale, T.I. Cox, L. Taylor. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 2563 (1992)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, \bf 27, 1371 (1993)
F. Kozlowski, W. Lang. J. Appl. Phys., \bf 72, 5401 (1992)
Р. Ченг, Т. Фуртак. \it Гигантское комбинационное рассеяние света (М., Мир, 1984),
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1992) т. 8, п. 8
С.А. Ахманов, В.Н. Семиногов, В.И. Соколов. ЖЭТФ, \bf 93, 1654 (1987)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, В.И. Емельянов, В.Н. Семиногов, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. Письма в ЖТФ, \bf 13, 693 (1987). E-mail: common@optics.pti.spb.su

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель