Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2017, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11
XXI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 13- 16 марта 2017 г.
Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Котомина В.Е.
Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
1443
Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б.
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
1447
Деребезов И.А., Гайслер В.А., Гайслер А.В., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Fischbach S., Schlehahn A., Kaganskiy A., Heindel T., Bounouar S., Rodt S., Reitzenstein S.
Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора
1451
Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кузнецов Ю.М., Здоровейщев А.В., Питиримова Е.А.
Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца
1456
Дегтярев В.Е., Хазанова C.В., Конаков А.А.
Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А
III
B
V
1462
Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В.
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
1468
Комков О.С., Кудрин А.В.
Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия
1473
Лещенко Е.Д., Дубровский В.Г.
Неоднородное распределение легирующей примеси в A
III
B
V
нитевидных нанокристаллах
1480
Малеев Н.А., Беляков В.А., Васильев А.П., Бобров М.А., Блохин С.А., Кулагина М.М., Кузьменков А.Г., Неведомский В.Н., Гусева Ю.А., Малеев С.Н., Ладенков И.В., Фефелова Е.Л., Фефелов А.Г., Устинов В.М.
Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
1484
Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А.
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
1489
Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.A., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Устинов В.М.
Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
1493
Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В.
Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
1498
Охапкин А.И., Королёв C.А., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Краев С.А., Хрыкин О.И., Шашкин В.И.
Низкотемпературное осаждение пленок SiN
x
в индуктивно-связанной плазме SiH
4
/Ar + N
2
в условиях сильного разбавления силана аргоном
1503
Алексеев А.Н., Мамаев В.В., Петров С.И.
Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур
1507
Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю.
Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
1510
Полищук О.В., Фатеев Д.В., Попов В.В.
Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда
1514
Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А.
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
1520
Резник Р.Р., Котляр К.П., Штром И.В., Сошников И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Цырлин Г.Э.
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A
III
B
V
нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
1525
Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник Ф.
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
1530
Борисов В.И., Кувшинова Н.А., Курочка С.П., Сизов В.Е., Степушкин М.В., Темирязев А.Г.
Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии
1534
Мурель А.В., Шмагин В.Б., Крюков В.Л., Стрельченко С.С., Суровегина Е.А., Шашкин В.И.
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
1538
Тарасова E.A., Оболенский C.B., Галкин O.E., Хананова A.B., Макаров А.Б.
Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
1543
Туркевич Р.В., Демиховский В.Я., Протогенов А.П.
Особенности циклотронного резонанса в трехмерных топологических изоляторах
1547
Фатеев Д.В., Машинский К.В., Qin Hua, Sun Jiandong, Попов В.В.
Гигантский эффект выпрямления терагерцового излучения в периодических графеновых плазмонных структурах
1552
Хомицкий Д.В., Лаврухина Е.А., Чубанов А.А., Нжийа Н.
Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора
1557
Никифоров В.Е., Абрамкин Д.С., Шамирзаев Т.С.
Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs
1565
Акимов А.Н., Климов А.Э., Супрун С.П., Эпов В.С.
Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF
2
1569
Акимов А.Н., Климов А.Э., Пащин Н.С., Ярошевич А.С., Савченко М.Л., Эпов В.С., Федосенко Е.В.
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
1574
Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф.
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
1579
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук