Вышедшие номера
Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах АIIIBV
Министерство образования и науки Российской Федерации, Проектная часть государственного задания вузам, 3.2637.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Региональный конкурс Поволжье: инициативные, 15-42-02254-р_поволжье_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102-а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мой первый грант, 16-32-00683-мол_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мой первый грант, 16-32-00712-мол_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Международные научные проекты, 16-57-51045-НИФ_а
Дегтярев В.Е. 1, Хазанова C.В. 1, Конаков А.А. 1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: DegVE@yandex.ru, khazanova@phys.unn.ru, anton.a.konakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников АIIIBV со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых "хеликсов". Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45091.05