Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 2
Борздов В.М., Жевняк О.Г., Комаров Ф.Ф.
Влияние электрон-электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло
193
Богданюк Н.С., Давидюк Г.Е., Шаварова А.П.
Отжиг центров зеленой люминесценции сульфида кадмия
201
Калантарова З.С.
Оптическое управление переключением и механизм запирания p-n-i-n
+
-структуры импульсом напряжения положительной полярности
209
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь М.Н., Талалакин Г.Н.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/InAsSb/InAsSbP
219
Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И.
Механизм формирования стационарных обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом заряда
229
Нариманов Е.Е.
Влияние поверхностного рассеяния на электропроводность тонкой полупроводниковой пленки в квантующем магнитном поле
235
Сиротюк С.В., Кинаш Ю.Е.
Симметричная ортогонализация остовных блоховских функций в алмазе
240
Венгер Е.Ф., Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Чернобай В.А.
Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности GaAs
244
Гулямов Г.
ЭДС горячих носителей, обусловленная сортировкой электронов по энергиям в магнитном поле
255
Кибис О.В.
Влияние квантующего магнитного поля на энергетический спектр электронов в квазидвумерных слоях многодолинных полупроводников
259
Иванов П.А., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П., Челноков В.Е.
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO
2
--SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале
271
Вейс А.Н., Суворова Н.А.
Энергетический спектр Pb
0.995- y
Sn
0.005
Na
y
Se по данным оптического поглощения
278
Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Шенгуров Д.В., Хохлов А.Ф.
Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния
286
Кикоин К.А., Манакова Л.А.
Примесные состояния 3 d-ионов в квантовых ямах и сверхрешетках I типа
291
Каминский В.В., Васильев Л.Н., Горнушкина Е.Д., Соловьев С.М., Сосова Г.А., Володин Н.М.
Влияние gamma-облучения на электрические параметры тонких пленок SmS
306
Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Немов С.А.
Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца
309
Юрьев В.А., Калинушкин В.П.
Зависимость характерных размеров крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов от их положения вдоль продольной оси монокристаллического слитка InP:Fe
316
Боднарь И.В., Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотолюминесценция монокристаллов CuAl
x
In
1-x
S
2
318
Баринов Ю.В., Безбородов В.Н., Емельянов В.В., Першенков В.С.
Исследование кинетики термостимулированной релаксации объемного заряда в окисле SiO
2
структур металл--окисел--полупроводник, облученных gamma-квантами
60
Co
323
Бабенцов В.Н., Власенко А.И., Тарбаев Н.И.
Трансформация системы дефектов по толщине пластины CdTe при диффузионном легировании галлием
328
Абдуллин Х.А., Мукашев Б.Н.
Исследование вакансионных дефектов в монокристаллическом кремнии, облученном при 77 K
335
Ваксман Ю.Ф.
Излучательная рекомбинация в монокристаллах селенида цинка, активированных кислородом
346
Беляев А.Е., Витусевич С.А., Конакова Р.В., Кравченко Л.Н., Ильин И.Ю.
Поперечный электронный транспорт в туннельно-резонансных структурах с двумерными носителями заряда
349
Богданюк Н.С., Давидюк Г.Е., Шаварова А.П.
Центры красной люминесценции в монокристаллах CdS и CdS:Cu и их преобразование при электронном облучении
357
Акчурин Р.Х., Акимов О.В.
Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAs
1- x-y
Sb
x
Bi
y
/InSb: расчет некоторых физических параметров
362
Балландович В.С., Мохов Е.Н.
Емкостная спектроскопия карбида кремния, легированного бором
370
Матвеев О.А., Терентьев А.И.
Особенности выращивания кристаллов CdTe из расплава
378
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук