Вышедшие номера
Емкостная спектроскопия карбида кремния, легированного бором
Балландович В.С.1, Мохов Е.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Емкостными методами исследованы монокристаллы Лели и эпитаксиальные слои 6H-SiC n-типа, компенсированные бором путем диффузии. С помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней наблюдались два акцепторных центра типа B и D, создаваемых бором в карбиде кремния. Энергия активации центров, оцененная по спектрам фотоемкости, составила ~=0.35 эВ для B-центра и ~= 0.75 эВ для D-центра. Суммарная концентрация центров была сопоставима с концентрацией внедренных атомов бора, в то время как их относительные концентрации сильно зависели от технологии выращивания кристаллов и уровня исходного легирования донорной примесью (азотом). Отмечается однозначное соответствие между относительной концентрацией наблюдаемых центров и люминесцентными свойствами образцов. Установлено, что эффективная высокотемпературная люминесценция наблюдается в образцах, в которых D-центры преобладают. Показано, что термический отжиг при температуре выше 2300o C приводит к резкому уменьшению концентрации D-центров.