Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 10
Гэн Чунь, Казначеев В.Ю., Юнович А.Э.
Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния
1681
Андрушко А.И., Пенцов А.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.
Произведение R
0
A в InAs p-n-переходах
1686
Малик А.И., Грушка Г.Г.
Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла-фосфид галлия
1691
Гафийчук В.В., Кернер Б.С., Осипов В.В., Щербаченко Т.М.
Образование пульсирующих термодиффузионных автосолитонов и турбулентности в неравновесной электронно-дырочной плазме
1696
Артамонов В.В., Валах М.Я., Киршт Ф., Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Нечипорук Б.Д., Романюк Б.Н.
Исследование пространственного распределения дефектов и механических напряжений в кремнии, имплантированном ионами углерода
1704
Буянов А.В., Лютович К.Л., Пека Г.П., Ткаченко В.Н.
Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на основе соединений Ge
x
Si
1-x
1711
Вуль А.Я., Вуль С.П., Сайдашев И.И., Петросян П.Г.
Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs
1-x-y
Sb
x
P
y
1718
Сырбу Н.Н., Львин В.Э., Заднипру И.Б., Годовей В.М.
Рамановские и инфракрасные колебательные спектры кристаллов PbGa
2
S
4
1721
Бахадырханов М.К., Хамидов А., Илиев Х.М., Парманкулов И.П.
Возбуждение рекомбинационных волн в кремнии, компенсированном марганцем при одноосной упругой деформации
1731
Маркевич В.П., Мурин Л.И.
Влияние предварительного облучения на образование термодоноров в кремнии
1737
Вывенко О.Ф., Давыдов И.А., Лучина В.Г., Целищев С.Л.
Фотоэлектрические процессы в сульфиде кадмия с изовалентной примесью теллура
1745
Кавокин А.В., Кавокин К.В.
Автолокализация экситона в квантовой яме с полумагнитным барьером
1751
Воробьева В.В., Зушинская О.В., Лебедев В.Б., Туан Ле, Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Шмарцев Ю.В.
Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов-расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода
1758
Сырбу Н.Н., Львин В.Э.
Рассеяние света оптическими фононами в тетрагональных кристаллах ZnP
2
1765
Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г., Евстропов В.В., Шульга М.И.
Возникновение туннельного тока в структурах металл-полупроводник после воздействия лазерного излучения
1774
Ивченко Е.Л., Кавокин А.В.
Экситоны и примесные центры в полупроводниковой сверхрешетке в методе эффективной массы
1780
Авруцкий И.А., Сычугов В.А., Усиевич Б.А.
Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе In
x
Ga
1-x
As/GaAs
1787
Архипов В.И., Емельянова Е.В.
"Вспышечная" кинетика фотостимулированного оптического поглощения в стеклообразных полупроводниках
1792
Добрего В.П., Доросинец В.А.
Нелинейные электрические явления в сильно легированном и сильно компенсированном арсениде галлия
1797
Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Приходько Е.Л., Сазонов А.Ю.
Термическая стабильность пленок a-Si : H, легированных азотом
1802
Микуленок А.В., Образцов А.Н., Пирогов В.Г., Стоянова И.Г., Трохин А.С.
Исследование методом комбинационного рассеяния света структурного разупорядочения в имплантированных ионами Be
+
монокристаллах InP
1805
Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Становов О.Н.
Фотоэлектрические свойства a-Si : H, легированного азотом
1808
Журавлев К.С., Терехов А.С., Шамирзаев Т.С.
Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальном p-GaAs : Ge
1811
Логвинов Г.Н.
Электронная температура в неоднородно нагретом полупроводниковом субмикронном слое
1815
Сорокин В.С., Кузнецов В.В.
Влияние плоской упругой деформации на ширину запрещенной зоны твердых растворов Ga
0.5
In
0.5
P
1818
Гроза А.А., Круликовская М.П., Старчик М.И., Антоненко Р.С.
Поведение кислорода в монокристаллическом кремнии при высокотемпературной обработке в gamma-поле
1821
Бабицкий Ю.М., Васильева М.В., Гринштейн П.М.
Влияние предварительного низкотемпературного отжига на образование высокотемпературных доноров в монокристаллах кремния
1824
Юрова Е.С., Картавых А.В.
Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs
1-x
P
x
для изготовления датчиков давления
1827
Саморуков Б.Е., Сиповская М.А., Сяврис Е.А., Тихомирова В.В.
Поведение иттербия в эпитаксиальных слоях p-GaInSbAs
1830
Васильев В.А., Дышловенко П.Е., Копылов А.А., Лютович К.Л., Шакмаев А.А.
Спектры примесной фотопроводимости: донор фосфор в твердом растворе Ge
x
Si
1-x
1833
Слынько В.В., Слынько Е.И., Хандожко А.Г., Выграненко Ю.К., Данилюк Г.В.
Обнаружение магнитоупорядоченных кластеров в полумагнитных полупроводниках
1836
Довгий Я.О., Китык И.В.
Фотокинетические явления в монокристаллах Tl
3
SbS
3
1839
Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С.
Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетичной имплантации бора
1841
Райчев О.Э.
ИСПРАВЛЕНИЯ К СТАТЬЕ <ОСОБЕННОСТИ ПРОВОДИМОСТИ ГХ-СВЕРХРЕШЕТОК> (ФТП. 1991. Т. 25. В. 7. С. 1228-1236)
1844
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам В.И.Козуб
1846
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук