Предложен механизм изменения инжектирующей способности контактов к эпитаксиальным пленкам сильно легированного (N_a <= 10¹⁹ см^-3) и сильно компенсированного арсенида галлия p-типа, выращенным на полуизолирующих подложках GaAs(Cr), объясняющий явления стимуляции проводимости образцов электрическим полем и светом, замороженную проводимость и полевое гашение проводимости. Установлены наличие и определяющая роль в электропроводности канала электронной проводимости, расположенного на границе перехода пленка-подложка. Оценены параметры канала электронной проводимости. Найдено, что сверхлинейный характер вольт-амперных характеристик образцов обусловлен как расширением канала, так и повышением подвижности в нем с ростом приложенного к образцу напряжения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.