"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нелинейные электрические явления в сильно легированном и сильно компенсированном арсениде галлия
Добрего В.П.1, Доросинец В.А.1
1Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Предложен механизм изменения инжектирующей способности контактов к эпитаксиальным пленкам сильно легированного (Na <= 1019 см-3) и сильно компенсированного арсенида галлия p-типа, выращенным на полуизолирующих подложках GaAs(Cr), объясняющий явления стимуляции проводимости образцов электрическим полем и светом, замороженную проводимость и полевое гашение проводимости. Установлены наличие и определяющая роль в электропроводности канала электронной проводимости, расположенного на границе перехода пленка-подложка. Оценены параметры канала электронной проводимости. Найдено, что сверхлинейный характер вольт-амперных характеристик образцов обусловлен как расширением канала, так и повышением подвижности в нем с ростом приложенного к образцу напряжения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.