"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термическая стабильность пленок a-Si : H, легированных азотом
Айвазов А.А.1, Будагян Б.Г.1, Приходько Е.Л.1, Сазонов А.Ю.1
1Московский институт электронной техники
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Исследуется влияние термообработок на темновую проводимость и плотность нейтральных дефектов пленок a-Si : H, полученных методом тлеющего разряда, в зависимости от содержания азота. Анализируется механизм поведения азота в пленке при различных уровнях его концентрации. Обнаружены увеличение проводимости пленок и повышение их термической стабильности при содержании азота в газовой фазе до r=[NH3]/[SiH4]=0.20. Предполагалось, что внесение азота в этом диапазоне ведет к перезарядке нейтральных дефектов в отрицательно заряженные с образованием пар Si3--N4+. Дальнейшее увеличение содержания азота приводит к модификации структуры материала с образованием аморфного нитрида кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.