Исследуется влияние термообработок на темновую проводимость и плотность нейтральных дефектов пленок a-Si : H, полученных методом тлеющего разряда, в зависимости от содержания азота. Анализируется механизм поведения азота в пленке при различных уровнях его концентрации. Обнаружены увеличение проводимости пленок и повышение их термической стабильности при содержании азота в газовой фазе до r=[NH₃]/[SiH₄]=0.20. Предполагалось, что внесение азота в этом диапазоне ведет к перезарядке нейтральных дефектов в отрицательно заряженные с образованием пар Si₃^--N₄⁺. Дальнейшее увеличение содержания азота приводит к модификации структуры материала с образованием аморфного нитрида кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.