Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 12
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Природа объемного шума 1/f в GaAs и Si (о б з о р)
2065
Алимпиев В.Н., Гуральник И.Р.
Трехволновое акустоэлектронное взаимодействие с участием волн пространственной перезарядки ловушек
2105
Гуревич Ю.Г., Юрченко В.Б.
Проблема формирования ЭДС в полупроводниках и вывода ее во внешнюю цепь
2109
Сырбу Н.Н., Стамов И.Г.
Фотоприемники линейно поляризованного излучения
2115
Пека Г.П., Россохатый В.К., Смоляр А.Н.
Влияние переизлучения на время переключения длинного диода с варизонной базой
2126
Летенко Д.Г., Молодцова Е.В., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Попков А.Н., Федорцов А.Б, Чуркин Ю.В.
Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия
2132
Грицюк Б.Н., Сирота А.В., Халамейда Д.Д.
Долговременные релаксации проводимости в нелегированном антимониде кадмия
2135
Коржуев М.А., Свечникова Т.Е.
Сверхбыстрые диффузионные эффекты в монокристаллах Bi
2
Te
3
и Bi
2
Te
3
-Bi
2
Se
3
, легированных медью
2141
Портной М.Е.
Анизотропия линейной поляризации фотолюминесценции горячих электронов в квантовых ямах
2150
Сизов Ф.Ф., Громовой Ю.С.
Магнитоплазменные волны в многодолинных узкощелевых полупроводниках A
IV
B
VI
2158
Зубков В.И., Ким Ха Ен, Копылов А.А., Соломонов А.В.
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых твердых растворах: метод определения функции плотности состояний
2163
Болотов В.В., Стучинский В.А.
Накопление вакансионных и междоузельных дефектов в областях пространственного заряда диодов Шоттки Au-n-Si
2168
Зыков В.Г., Сердега Б.К.
Поляризационно зависящая фотомагнитная ЭДС в критических точках зонного спектра германия
2173
Пашковский А.Б.
Поперечный пространственный перенос электронов в структурах металл-In
0.52
Al
0.48
As/In
0.53
Ga
0.47
As и металл-Al
x
Ga
1-x
As/In
y
Ga
1-y
As/GaAs с селективным легированием в сильном электрическом поле
2179
Костылев С.А., Коджеспирова И.Ф., Шкут В.А.
Переключение при локализованном возникновении отрицательного дифференциального сопротивления S-типа
2184
Гельмонт Б.Л., Родина А.В.
Энергия связи дырки на многозарядном акцепторе в полупроводниках со структурой алмаза
2189
Баженов Н.Л., Гасанов С.И., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д.
Темновые токи в p-n-переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах Cd
x
Hg
1-x
Te
2196
Кульбачинский В.А., Свистунов И.В., Чудинов С.М., Кузнецов В.Д., Арушанов Э.К., Захвалинский В.С., Натепров А.Н.
Аномалии магнитных и гальваномагнитных свойств разбавленных твердых растворов (Zn
1-x
Mn
x
)
3
As
2
2201
Несмелова И.М.
Поглощение света в компенсированных полупроводниках с кейновской зонной структурой
2215
Гашимзаде Н.Ф., Пашабекова У.С.
Спектр электронов в бесконечно узкой квантовой яме в бесщелевом полупроводнике
2217
Знаменский Д.А., Тодуа П.А., Шестакова Е.Ф., Эльтазаров Б.Т., Юсупов Р.Г.
Фотогальванические свойства структур металл-ленгмюровская пленка перфторированного полимера-арсенид галлия
2219
Архипов В.И., Емельянова Е.В.
Отклонение от закона Бугера при распространении светового сигнала в волокнах из халькогенидных стекол
2222
Шикин В.Б., Шикина Ю.В.
Заряженные дислокации в полупроводниках p-типа
2225
Аронов Д.А., Валиев Б.Х., Маматкулов Б.Р.
Малосигнальные характеристики структур из "чистых" полупроводников с неинжектирующими контактами в условиях полной эксклюзии носителей тока
2228
Именной указатель
2232
Предметный указатель
2259
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук