"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переключение при локализованном возникновении отрицательного дифференциального сопротивления S-типа
Костылев С.А.1, Коджеспирова И.Ф.1, Шкут В.А.1
1Отделение физико-технических проблем транспорта на сверхпроводящих магнитах Трансмаг", Днепропетровск
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

В применении халькогенидных полупроводников приведена феноменологическая модель воздействия проводящей неоднородности (канала) на пороговые параметры переключения сред с ОДС S-типа. Сформулированы критерии перерастания канала в шнур. Получено соответствие модели и экспериментальных результатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.