"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поперечный пространственный перенос электронов в структурах металл-In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As и металл-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs с селективным легированием в сильном электрическом поле
Пашковский А.Б.1
1Научно-производственное объединение "Исток", Фрязино
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Теоретически исследован поперечный пространственный перенос электронов в структурах металл- Al0.15Ga0.85As/In0.15Ga0.85As/GaAs и металл-In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с селективным легированием при их разогреве продольным электрическим полем. Показано, что в таких структурах, несмотря на большие значения разрыва зон проводимости на границе гетероперехода из-за связанного с этим повышения поверхностной плотности электронов, энергии дна размерных подзон и уменьшения ширины потенциальной ямы, а также из-за больших значений времен релаксации по энергии и импульсу и меньших значений эффективной массы электронов в узкозонном материале, поперечный пространственный перенос электронов, разогретых продольным электрическим полем, проявляется сильнее, чем в структурах металл-Al0.3Ga0.7As/GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.