"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризационно зависящая фотомагнитная ЭДС в критических точках зонного спектра германия
Зыков В.Г.1, Сердега Б.К.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Экспериментально при 10/80 K исследована компонента фотомагнитной ЭДС в Ge, зависящая от поляризации возбуждаемого света. Обнаружено, что спектр фотоэдс состоит из нескольких полос, положения которых превосходно согласуются с энергиями межзонных вертикальных переходов E0, E0+Delta0, E1, E1+Delta1, их значения получены из независимых исследований электроотражения. Обсуждается модель формирования фотоэдс, базирующаяся на процессах оптического выстраивания импульсов электронов линейно поляризованным светом и их баллистического пролета в слое пространственного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.