"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Накопление вакансионных и междоузельных дефектов в областях пространственного заряда диодов Шоттки Au-n-Si
Болотов В.В.1, Стучинский В.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Методом DLTS изучены пространственные распределения радиационных дефектов (РД), формирующиеся при облучении быстрыми электронами диодов Шоттки Аu-n-Si на зонном кремнии. Обнаружено, что междоузельные РД подобно вакансионным характеризуются меньшей скоростью введения в области пространственного заряда (ОПЗ), чем в квазинейтральном объеме (КО), и повышенной --- на границе двух областей. Рассмотрены возможные механизмы процессов, определяющих вид распределений: 1) изменение формы зоны неустойчивости пар Френкеля (ПФ) в электрическом поле; 2) миграция РД за пределы ОПЗ; 3) зарядовая зависимость вероятности разделения ПФ и скоростей реакций вторичного дефектообразования. В качестве основного механизма, обусловливающего различие числа вводимых вакансионных РД в ОПЗ и КО, обсуждаются дрейф положительно заряженных вакансий в электрическом поле ОПЗ и зарядовая зависимость вероятности разделения ПФ. Приведены оценки количественных параметров соответствующих моделей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.