Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 4
Соколов В.И.
Водородоподобные возбуждения примесей переходных 3d-элементов в полупроводниках Обзор
545
Хакимов З.М., Мухтаров А.П., Левин А.А.
К вопросу об h U-характере вакансии в кремнии
571
Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Ремесник В.Г., Чикичев С.И., Нис И.Е.
Приготовление пленок Cd
x
Hg
1-x
Te методом парофазной эпитаксии HgTe на подложках CdTe с последующей взаимной диффузией
577
Кибис О.В., Энтин М.В.
Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантующем магнитном поле
584
Углянец В.В., Федотов А.К.
Эффект переключения на границе раздела полупроводник-полупроводник
594
Максимов М.В., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Табатадзе И.Г., Степанов М.В., Устинов В.М.
Исследование квантово-размерных гетероструктур методом спектроскопии селективного возбуждения люминесценции
597
Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Устинов В.М.
Выращивание квантово-размерных гетероструктур (In, Ga) As/GaAs методом осаждения <<субмонослойных>> напряженных слоев InAs
604
Симашкевич А.А., Шутов С.Д.
Изучение плотности глубоких состояний в пленках alpha-As
2
Se
3
методом вольт-фарадных характеристик
611
Яфясов А.М.
Электрофизические свойства поверхностей PbTe и (PbSn)Te
619
Яблонский Г.П., Ракович Ю.П., Гладыщук А.А.
Самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS
625
Андреев А.Н., Аникин М.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6 H-SiC (000h1)
630
Терехов В.А., Селезнев В.Н., Домашевская Э.П.
О влиянии электронного пучка на энергетическое распределение локализованных состояний в аморфном нитриде кремния
636
Юрьев В.А., Калинушкин В.П., Мурин Д.И.
Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах арсенида галлия
640
Коваленко А.В., Борисенко Н.Д.
Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnS
x
Se
1-x
646
Добровольский В.Н., Нинидзе Г.К., Петрусенко В.Н.
Температурная зависимость туннельного тока через МТДП структуру
651
Болгов С.С., Варданян Б.Р., Малютенко В.К., Пипа В.И., Савченко А.П., Юнович А.Э.
Спектры электролюминесценции варизонных структур Cd
x
Hg
1- x
Te/CdTe при T= 300 K
658
Соболев М.М., Кочнев И.В., Папенцев М.И.
Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в Al
x
Ga
1-x
As, легированном Si
663
Гершензон Е.М., Исмагилова Ф.М., Литвак-Горская Л.Б.
Об энергетической щели между зоной проводимости и верхней зоной Хаббарда
671
Шикина Ю.В., Шикин В.Б.
Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках
675
Синявский Э.П., Сафронов Е.Ю., Канаровский Е.Ю.
Внутризонное поглощение света в тонкой полупроводниковой пленке при рассеянии на потенциалах нулевого радиуса
681
Гулямов Г., Умаров К.Б.
Влияние сильного СВЧ поля на вольт-амперную характеристику p-n-перехода с горячими носителями заряда
686
Дощанов К.М.
Обобщенная модель электропроводности поликристаллических полупроводников
692
Демидов М.Е., Шенгуров В.Г., Демидова В.Н., Шабанов В.Н.
Электронный парамагнитный резонанс в пористом кремнии
701
Прима Н.А.
Размерный эффект в термоэдс многодолинных полупроводников
706
Юбилеи и даты Эльдар Юнис Оглы Салаев (к 60-летию со дня рождения)
714
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук