Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия 
Поступила в редакцию: 21 января 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Обсуждается явление инверсии типа проводимости пластически деформированного n-полупроводника. Показано, что если емкость C1 нижнего дислокационного уровня E1 достаточно мала, то зависимость химического потенциала от плотности дислокаций имеет характерный скачок, положение которого зависит от величины C1. Эксперимент подтверждает предсказания теории.
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука (1977)
- V. Grazhulis, Kvede\^r V., V. Mukhiha. Phys. St. Sol. (a), \bf 43, 407 (1977)
- В. Еременко, В. Никитенко, Е. Якимов, Н. Ярыкин. ФТП, \bf 12, 273 (1978)
- Ю.В. Шикина, В.Б. Шикин. ФТП, 12, 2225 (1991)
- Ю.В. Шикина, В.Б. Шикин. ФТП, 26, 927 (1992)
- S. Koveshnikov, O. Feklisova, E. Yakimov, N. Yarykin. Phys. St. Sol. (a), \bf 127, 67 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
