"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках
Шикина Ю.В.1, Шикин В.Б.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Обсуждается явление инверсии типа проводимости пластически деформированного n-полупроводника. Показано, что если емкость C1 нижнего дислокационного уровня E1 достаточно мала, то зависимость химического потенциала от плотности дислокаций имеет характерный скачок, положение которого зависит от величины C1. Эксперимент подтверждает предсказания теории.
  1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука (1977)
  2. V. Grazhulis, Kvede\^r V., V. Mukhiha. Phys. St. Sol. (a), \bf 43, 407 (1977)
  3. В. Еременко, В. Никитенко, Е. Якимов, Н. Ярыкин. ФТП, \bf 12, 273 (1978)
  4. Ю.В. Шикина, В.Б. Шикин. ФТП, 12, 2225 (1991)
  5. Ю.В. Шикина, В.Б. Шикин. ФТП, 26, 927 (1992)
  6. S. Koveshnikov, O. Feklisova, E. Yakimov, N. Yarykin. Phys. St. Sol. (a), \bf 127, 67 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.