Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 1
Амиров Р.Х., Зудеев О.Г.
Влияние постоянного электрического поля и неравновесных оптических фононов на излучение электронов в высокочастотном поле
3
Курова И.А., Мелешко Н.В., Ларина Э.В., Хлебникова О.П., Громадин А.Л.
Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором
12
Данишевский А.М., Рогачев А.Ю.
Разрешенная во времени импульсная экситонная фотолюминесценция чистых кристаллов и пленок 6 H-SiC
17
Ахметов В.Д., Горохов Е.Б., Мошегов Н.Т., Торопов А.И.
Действие облучения на оптические и фотоэлектрические свойства структур на квантовых ямах GaAs/AlGaAs, фоточувствительных в инфракрасной области спектра
23
Булгаков А.А., Москаленко В.В.
Неустойчивости поверхностных поляритонов в классической полупроводниковой сверхрешетке
31
Авруцкий И.А., Пырков Ю.Н.
Фотомодуляционная спектроскопия для определения интегрального экситонного поглощения в одиночных квантовых ямах
41
Аронзон Б.А., Чумаков Н.К.
Фазовая диаграмма состояний электронной системы сильно компенсированных полупроводников в магнитном поле
46
Дмитриев С.Г., Шагимуратов О.Г.
Концентрация двумерного электронного газа в селективно легированных гетероструктурах при равновесном и неравновесном заполнении примесных центров
56
Гасан-заде С.Г., Каленик В.И., Шепельский Г.А.
Низкотемпературные особенности фотоэлектрических характеристик Mn
x
Hg
1- x
Te
63
Прокофьев А.В., Шелых А.И.
Оптические свойства монокристаллов сульфида и селенида тербия
71
Степуренко А.А.
Автосолитоны в разогретой и возбужденной импульсом электрического поля электронно-дырочной плазме антимонида индия
76
Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Торопов А.А., Шубина Т.В., Сорокин С.В., Парк, Х.С., Ким, Д.Р., О, Э.С., Джонг, Х.Д., Парк, С.Х., Копьев П.С.
Люминесценция нелегированных и легированных хлором слоев Zn
1- x
Cd
x
Se и Zn
1- x
Mg
x
S
y
Se
1- y
, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
82
Евстропов В.В., Стрельчук А.М.
Нейтронно-облученные SiC(6 H) p- n-структуры: токопрохождение
92
Евстропов В.В., Калитеевский М.А., Липко А.Л., Синицын М.А., Царенков Б.В., Шерняков Ю.М., Явич Б.С.
Полупроводниковый брэгговский отражатель с поглощающими слоями
100
Дмитриев А.П., Евлахов Н.В., Фурман А.С.
Расчет зонной структуры твердого раствора SiC--AlN методом псевдопотенциала
106
Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Чернобай В.А.
О системе быстрых поверхностных электронных состояний на реальной поверхности германия
118
Саидов М.С., Абдурахманов Б.М., Алиев Р., Саидов А.С.
Перенос носителей заряда в поликристаллических кремниевых p- n-структурах
128
Бугаев А.С., Захарова А.А.
Квазистационарный перенос заряда поверхностной акустической волной
133
Онопко Д.Е., Баграев Н.Т., Рыскин А.И.
Химическая связь и структурные искажения в кремнии, легированном непереходными элементами
142
Асоцкий В.В., Кузнецова Т.А., Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Тананаева О.И., Тетеркин В.В.
Электрически активное состояние примеси кобальта в теллуриде свинца
153
Малышев А.В., Меркулов И.А., Родина А.В.
Волновые функции основного состояния некулоновского акцептора в алмазоподобных полупроводниках
159
Георгицэ Е.И., Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Постолаки И.Т., Смирнов В.А.
Излучательная рекомбинация в узкощелевом твердом растворе n-Hg
1-x
Cd
x
Se
172
Караваев Г.Ф., Криворотов И.Н.
Метод огибающих функций для описания электронных состояний в микроструктурах с плавным изменением потенциала на гетерограницах
177
Лебедев А.А., Иванов А.М., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В.
Влияние alpha-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
188
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук