Перенос носителей заряда в поликристаллических кремниевых p- n-структурах
Саидов М.С.1, Абдурахманов Б.М.1, Алиев Р.1, Саидов А.С.1
1Институт электроники им.У.А.Арифова Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
Исследованы процессы переноса заряда в p-n-структурах на основе поликристаллического кремния. Образцы изготавливались тремя способами: осаждением из газовой фазы p+-слоя, термодиффузией бора и ионной имплантацией бора в тонкий n-слой на n+-подложке промышленного кремния. Установлено, что вольт-амперные характеристики структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления и это связано со свойствами границ зерен.
- М.С. Саидов и др. Гелиотехника, вып. 1, 54 (1984)
- А.А. Абакумов и др. В кн.: \it Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника (Ташкент, 1977) с. 3
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. \it Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., 1987)
- Р.А. Муминов и др. Гелиотехника, вып. 1, 67 (1985)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1973)
- И.М. Викулин, В.И. Стафеев. \it Физика полупроводниковых приборов (М., 1980)
- С.А. Азимов и др. Гелиотехника, вып. 5, 3 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук