Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перенос носителей заряда в поликристаллических кремниевых p- n-структурах

Саидов М.С.¹, Абдурахманов Б.М.¹, Алиев Р.¹, Саидов А.С.¹

¹Институт электроники им.У.А.Арифова Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан

Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Исследованы процессы переноса заряда в p-n-структурах на основе поликристаллического кремния. Образцы изготавливались тремя способами: осаждением из газовой фазы p⁺-слоя, термодиффузией бора и ионной имплантацией бора в тонкий n-слой на n⁺-подложке промышленного кремния. Установлено, что вольт-амперные характеристики структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления и это связано со свойствами границ зерен.

М.С. Саидов и др. Гелиотехника, вып. 1, 54 (1984)
А.А. Абакумов и др. В кн.: \it Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника (Ташкент, 1977) с. 3
А. Фаренбрух, Р. Бьюб. \it Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., 1987)
Р.А. Муминов и др. Гелиотехника, вып. 1, 67 (1985)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1973)
И.М. Викулин, В.И. Стафеев. \it Физика полупроводниковых приборов (М., 1980)
С.А. Азимов и др. Гелиотехника, вып. 5, 3 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель