"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О системе быстрых поверхностных электронных состояний на реальной поверхности германия
Кириллова С.И.1, Примаченко В.Е.1, Чернобай В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 13 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Методами температурных и электрополевых зависимостей поверхностной фотоэдс исследованы электронные свойства свежетравленной и стабилизированной (состаренной) реальной поверхности германия. Показано, что плотность быстрых поверхностных электронных состояний, полученная методом температурной зависимости фотоэдс, более чем на порядок меньше плотности поверхностных электронных состояний, полученной методом электрополевых зависимостей фотоэдс при различных фиксированных температурах в диапазоне 100--300 K. Это связано с тем, что при температурных исследованиях проявляется истинная система быстрых поверхностных электронных состояний, расположенных на границе германий--оксид, а при электрополевых исследованиях преимущественно проявляется эффективная система поверхностных электронных состояний, расположенных в оксидной пленке, которые туннельным образом обмениваются электронами с полупроводником. Плотности поверхностных электронных состояний, полученные обоими методами, на стабилизированной поверхности больше, чем на свежетравленной, при этом при старении изменяется также распределение поверхностных электронных состояний по энергии в запрещенной зоне германия. Полученная в электрополевых исследованиях температурная зависимость эффективной плотности поверхностных электронных состояний обусловлена температурной зависимостью величины электрического поля в оксидной пленке. Сделан вывод, что все электрополевые методики дают лишь эффективное значение плотности быстрых поверхностных электронных состояний, распределение которых по энергии в запрещенной зоне существенным образом зависит от температуры измерения и удельного сопротивления полупроводника.
  1. В.И. Ляшенко, В.Г. Литовченко, И.И. Степко, В.И. Стриха. \it Электронные явления на поверхности полупроводников (Киев, 1968)
  2. В.Ф. Киселев. \it Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках (М., 1970)
  3. А.В. Ржанов. \it Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., 1971)
  4. В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов. Поверхность, N 6, 13 (1982)
  5. В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. \it Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, 1988)
  6. В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. ФТП, 3, 294 (1969)
  7. Ю.А. Зарифьянц, В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов. Вестн. МГУ. Физика, N 1, 84 (1975)
  8. А.В. Саченко, О.В. Снитко. \it Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, 1984)
  9. В.В. Антощук, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. ФТП, 20, 749 (1986)
  10. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 19, 65 (1990)
  11. V.E. Primachenko, O.V. Snitko, V.V. Milenin. Phys. St. Sol., 11, 711 (1965)
  12. Т.И. Ковалевская, К.К. Свиташев. ФТП, 3, 779 (1969)
  13. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 20, 15 (1991)
  14. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Поверхность, N 12, 85 (1990)
  15. Y.W. Lam, J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1370 (1971)
  16. О.С. Фролов. ФТП, 1, 784 (1967)
  17. О.С. Фролов, О.В. Снитко. ФТП, 2, 1144 (1968)
  18. Е.П. Мацас, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Укр. физ. журн., 17, 291 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.