Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Расчет зонной структуры твердого раствора SiC--AlN методом псевдопотенциала

Дмитриев А.П.¹, Евлахов Н.В.¹, Фурман А.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 марта 1995 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассчитанна зонная структура твердого раствора SiC-AlN с кристаллической структурой вюрцита. Расчет основан на методе псевдопотенциала с использованием приближения виртуального кристалла. При этом приближение виртуального кристалла было модифицировано с целью учета антиструктурных дефектов кристаллической решетки. Вычислен энергетический спектр в главных симметричных направлениях обратной решетки и найдена зависимость энергии от состава в основных симметричных точках. Показано, что учет антиструктурных дефектов приводит к заметному сужению запрещенной зоны и уменьшению области концентраций раствора с прямой зонной структурой. Результаты расчета хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

I.B. Cutler, P.D. Vilber, W. Rafaniello, H.K. Park, D.P. Thomson, K.H. Jack. Nature, 275, 434 (1978)
R. Ruh, A. Zangvil. J. Amer. Ceram. Soc., 65, 260 (1982)
W. Rafaeniello, M.R. Plichta, A.V. Virkar. J. Amer. Ceram. Soc., 66, 272 (1983)
С.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Разбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Письма ЖТФ, 12, 1043 (1986)
С.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Разбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 23, 162 (1989)
С.А. Нурмагомедов, Г.К. Сафаралиев. \it Тр. 4 Всес. конф. по росту кристаллов (Ереван, 1985) т. 3, с. 116
Г.К. Сафаралиев. В кн.: \it Широкозонные полупроводники (Махачкала, 1989) с. 34
В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 98 (1985)
A. Zangvil, R. Ruh. J. Amer. Ceram. Soc., 71, 884 (1988)
H. Holloway, L.C. Davis. Phys. Rev. Lett., 53, 830 (1984)
K.E. Newman, J.D. Dow. Phys. Rev. B, 27, 7495 (1983)
M.L. Cohen, J.R. Chelikovsky. \it Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, (Springer Ser. Sol. St. Sci., 1989) p. 75
H.G. Junginger, W. Haeringen. Phys. St. Sol., 37, 709 (1970)
S. Bloom. J. Phys. Chem Sol., 32, 2027 (1971)
W.P.L. Lambrecht, B. Segall. Phys. Rev. B, 43, 7070 (1991)
P.B. Perry, R.F. Rutz. Appl. Phys. Lett., 33, 319 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель