Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 5
Гулямов Г., Хамидова Б.
Влияние геометрии образцов на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
769
Бабич В.М., Баран Н.П., Бугай А.А., Кирица В.Л., Максименко В.М.
Образование термодоноров при одно- и двухступенчатых отжигах в кристаллах кремния с большой и малой концентрацией углерода
777
Шаховцова С.И.
Низкотемпературный пробой донорных состояний примеси сурьмы в сплавах Ge
1- x
Si
x
783
Борблик В.Л., Грибников З.С.
Концентрационные решетки в электронно-дырочной плазме, дрейфующей в переменном электрическом поле
793
Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В.
Моделирование быстрых ионизационных волн при пробое в кремниевых p-- n-переходах
803
Алещенко Ю.А., Заварицкая Т.Н., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Мельник Н.Н.
Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs
812
Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Мездрогина М.М., Голубев В.Г., Sturm A., Fuhs W.
Фотолюминесценция на длине волны 1.54 мкм в легированном эрбием аморфном гидрогенизированном кремнии
820
Панов В.И., Харьков А.А.
Об образовании радиационных дефектов в бинарных соединениях
828
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
Упругие постоянные и фононные частоты широкозонных полупроводников
834
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П.
Идентификация одно- и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии
840
Голубев В.Г., Жерздев А.В., Мороз Г.К., Пацекин А.В., Ян Д.Т.
Сильное фотоиндуцированное увеличение интенсивности люминесценции анодно окисленного пористого кремния
852
Аверкиев Н.С., Ильинский С.Ю.
Спиновое упорядочение электронов, локализованных на глубоких донорах в многодолинных полупроводниках
864
Александров О.В., Соболев Н.А., Шек Е.И., Меркулов А.В.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием
876
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П.
Исследование одно- и двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии
884
Джакели В.Г., Тутберидзе И.А.
О захвате носителей заряда нейтральными центрами
894
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Захарченя Б.П., Пак П.Е., Соболев Н.А., Шек Е.И., Яссиевич И.Н., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Электролюминесценция кремния, легированного эрбием
898
Алешин В.П., Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Соболев Н.А.
Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
906
Копылов А.А., Минтаиров А.М., Холодилов А.Н.
Инфракрасное отражение и оптические фононы в эпитаксиальных слоях твердых растворов In
x
Ga
1-x
As/GaAs
910
Корнюшкин Н.А., Валишева Н.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Д.
Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП структур на арсениде индия
914
Алексеева Г.Т., Ведерникова М.В., Константинов П.П., Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н.
Тепловые и термоэлектрические свойства твердых растворов Bi
2-x
Sb
x
Te
3-y
Se
y
(x=<0.12, y=<0.36)
918
Брунков П.Н., Конников С.Г., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С.
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
924
Крещук А.М., Новиков С.В., Савельев И.Г.
<< Гашение>> замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
934
Крещук А.М., Новиков С.В., Савельев И.Г.
Влияние сильного электрического поля на свойства неравновесного двумерного электронного газа в неидеальных структурах
942
Гарнык В.С., Белокурова И.Н.
Влияние знака упругой деформации монокристаллов кремния на результаты радиационного воздействия
952
Хасбулатов А.М.
Двумерный электронный газ на поверхности Cd
x
Hg
1-x
Te вблизи перехода бесщелевая--узкощелевая фаза
955
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук