"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О захвате носителей заряда нейтральными центрами
Джакели В.Г.1, Тутберидзе И.А.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Изучается захват свободных электронов на нейтральные центры и его влияние на процесс рекомбинации. Получено условие, при выполнении которого, указанный процесс доминирует над процессом захвата на положительно заряженные центры. Учет указанного процесса рекомбинации приводит к увеличению поля пробоя.
  1. Е.Б. Гольдгур, Р.И. Рабинович. ЖЭТФ, 84, 1109 (1983)
  2. Е.Б. Гольдгур, Р.И. Рабинович. ЖЭТФ, 23, 1674 (1989)
  3. S.G. Dmitriev, A.G. Zhdan, A.M. Kozlov, T.M. Lifshits, V.V. Rylkov, O.G. Shagimuratov. Semicond. Sci. Technol., 8, 544 (1993)
  4. T.O. Gegechkory, V.G. Yakeli, Z.S. Kachlishvili. Phys. St. Sol. (b), 112, 379 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.