Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 5
Зебрев Г.И., Усейнов Р.Г.
Простая модель вольтамперных характеристик МДП транзистора
777
Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю., Алешин В.Д., Кунакин Ю.И.
Образование глубоких центров в фосфиде галлия при создании ионно-имплантированных фоточувствительных структур
782
Ильичев Э.А., Олейник С.П., Матына Л.И., Варламов И.В., Липшиц Т.Л., Инкин В.Н.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода
788
Олеск С. А., Пихтин А.Н., Юнович А.Э.
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
795
Ильин М.А., Карасев П.Ю., Мильвидский М.Г., Михайлова Н.Г., Пшеничная А.Н.
Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра
800
Коржуев М.А., Банкина В.Ф., Ефимова Б.А., Филипович Н.Н.
Электрофизические свойства сплавов Cu
2-x
Se, легированных электроактивными добавками
805
Гук Е.Г., Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
813
Андреев А.П., Виолин Э.Е., Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Яременко И.Е.
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
821
Гавриленко В.И., Калугин Н.Г., Красильник З.Ф., Никоноров В.В., Стариков Е.В., Шикторов. П.Н.
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
825
Журавлев К.С., Якушева Н.А.
Влияние состава Ga
1-x
Bi
x
жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
829
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Плоткин Д.А., Румянцев С.Л.
Кинетика спада долговременной фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
836
Абдукадыров А.Г., Ивченко Е.Л.
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике
844
Балинас В., Гореленок А.Т., Кроткус А., Сталненис А., Шмидт Н.М.
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
848
Постников В.С., Борисов В.С., Капустин Ю.А., Кириллов В.И.
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
855
Бриллиантов Н.В., Вольский В.А., Квяткевич А.И., Тимошкин В.Н.
Диффузия заряженных примесей в полупроводниках. Учет корреляционных эффектов и расчет изоконцентрационных коэффициентов диффузии
860
Малютенко В.К., Пипа В.И., Яблоновский Е.И., Колесников И.В.
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
866
Капустин Ю.А., Колокольников Б.М., Котов В.В., Медведков А.В.
Поведение центров золота в кремнии n-типа после нейтронного и gamma-облучения и механической обработки поверхности
871
Яфясов А.М., Перепелкин А.Д., Мясоедов Ю.Н., Матвиив М.В.
Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te
875
Пешев В.В., Смородинов С.В.
Температурные зависимости накопления центров E10 (E
c
-0.62 эВ) в n-InP
879
Ашкинадзе Б.М., Бельков В.В., Красинская А.Г.
Воздействие горячих электронов на люминесценцию GaAs
883
Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Батукова Л.М., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Малкина И.Г.
Фотолюминесценция квантовых слоев In
x
Ga
1-x
As, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
892
Дмитриев В.В., Скипетров Е.П.
Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами
897
Ефанов А.В.
Шоттковское экранирование заряженной дислокационной стенки в полупроводнике
902
Зебрев Г.И.
Эффективная подвижность при рассеянии на шероховатостях границы раздела в инверсионном слое
908
Крючков С.B., Сыродоев Г.А.
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
913
Басалаев Ю.М., Золотарев М.Л., Полыгалов Ю.И., Поплавной А.С.
Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs
2
916
Алекперов С.А., Алиев Ф.Л.
Температурная зависимость шума 1/f в p-InSb
921
Елизаров А.И., Богобоящий В.В., Белов А.Г.
Вольтамперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах Сd
x
Hg
1-x
Te/CdTe
923
Булах Г.И., Бурбело Р.М., Гуляев А.Л., Кучеров И.Я.
Фотоакустическая микроскопия эпитаксиальных кремниевых структур
926
Дубровский Ю.В., Ларкин И.А., Морозов С.В., Борисов А.В., Бунин Г.Г., Иноземцев С.А., Лапин В.Г., Малахов Б.А.
"Энергетическая квазибаллистика" в микроструктурах на GaAs при низких температурах
928
Коллюх А.Г., Малютенко В.К., Мороженко В.А.
Излучение n-InSb в далекой ИК области
931
Вязовский М.В.
Усиление гиперзвука при межпримесном поглощении света в полупроводниках
933
Крылов Д.Г., Ладыгин Е.А.
Методика оценки заряда подзатворного диэлектрика в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
936
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Исправление к статье "Gamma X-перенос в реальном пространстве: N-ОДП в слоистой структуре" (ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 346-352)
940
Аннотации депонированных статей
941
Критика и библиография
943
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
954
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук