"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Простая модель вольтамперных характеристик МДП транзистора
Зебрев Г.И., Усейнов Р.Г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Посредством решения уравнения непрерывности для тока получено простое компактное выражение для тока стока МОП транзистора, единым образом описывающее затворные и стоковые характеристики прибора во всех электрических режимах работы: подпороговом, слабой и сильной инверсии и режиме насыщения. При этом автоматически учитываются соотношения между диффузной и дрейфовой компонентами тока, указаны количественные критерии реализации тех или иных режимов работы при разных значениях входных параметров и температур. Получены распределения электростатического потенциала и электрического поля вдоль канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.