Изучено влияние технологических операций при изготовлении фоточувствительных p⁺-n-структур методом ионной имплантации на спектр глубоких уровней в GaP. Измерение параметров глубоких центров проводили с помощью метода релаксационной спектроскопии. Влияние технологических операций на спектры глубоких уровней моделировали с помощью облучения исходного материала электронами с энергией 6 МэВ и дозами 10¹⁵/10¹⁷ см^-2, термообработки материала под защитными покрытиями AlN и Si₃N₄ при температурах, соответствующих температурам после имплантационного отжига. Кроме того, использованы эпитаксиальные слои GaP, специально легированные азотом или кислородом в процессе роста. В этих случаях измерения проводили с помощью барьеров Шоттки, изготовленных вакуумным напылением серебра. Измерены спектры глубоких уровней на p⁺-n-переходах, изготовленных имплантацией Be⁺. На основе полученных экспериментальных результатов предложена модель структуры глубоких центров, объясняющая изменения спектров глубоких уровней при определенных технологических воздействиях. Согласно этой модели, измеренные глубокие центры имеют следующую структуру: E_c-0.13 эВ-Si_Ga+P_i; E_c-0.22 эВ-Si_Ga-V_P; E_c-0.37 эВ-V_Ga-V_P; E_c-0.79 эВ-P_Ga +V_P+V_Ga.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.