"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование глубоких центров в фосфиде галлия при создании ионно-имплантированных фоточувствительных структур
Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю., Алешин В.Д., Кунакин Ю.И.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Изучено влияние технологических операций при изготовлении фоточувствительных p+-n-структур методом ионной имплантации на спектр глубоких уровней в GaP. Измерение параметров глубоких центров проводили с помощью метода релаксационной спектроскопии. Влияние технологических операций на спектры глубоких уровней моделировали с помощью облучения исходного материала электронами с энергией 6 МэВ и дозами 1015/1017 см-2, термообработки материала под защитными покрытиями AlN и Si3N4 при температурах, соответствующих температурам после имплантационного отжига. Кроме того, использованы эпитаксиальные слои GaP, специально легированные азотом или кислородом в процессе роста. В этих случаях измерения проводили с помощью барьеров Шоттки, изготовленных вакуумным напылением серебра. Измерены спектры глубоких уровней на p+-n-переходах, изготовленных имплантацией Be+. На основе полученных экспериментальных результатов предложена модель структуры глубоких центров, объясняющая изменения спектров глубоких уровней при определенных технологических воздействиях. Согласно этой модели, измеренные глубокие центры имеют следующую структуру: Ec-0.13 эВ-SiGa+Pi; Ec-0.22 эВ-SiGa-VP; Ec-0.37 эВ-VGa-VP; Ec-0.79 эВ-PGa +VP+VGa.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.