"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода
Ильичев Э.А., Олейник С.П., Матына Л.И., Варламов И.В., Липшиц Т.Л., Инкин В.Н.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Исследованы электрофизические свойства гетероперехода n-GaAs-ZnS: установлен механизм транспорта электронов в стационарном режиме, определены энергетический спектр и параметры ловушек в изолирующей пленке сульфида цинка, изучены модуляционные свойства гетероконтакта. Установлено, что ток в структуре (прямое включение) в интервале температур 100/500 K и диапазоне полей 103/106 В/см ограничивается объемом пленки ZnS, носит активационный характер, а при напряженности поля в пленке ~105 В/см процесс переноса отличается сменой омической полевой зависимости зависимостью Френкеля-Пула. Спектр ловушек в пленке ZnS характеризуется наличием локализованных состояний в интервалах энергий 0.23/0.25, 0.56/0.58, 0.80/0.82 эВ. Изменение емкости МДП структуры ограничено перезарядкой уровней ~0.23 и ~0.80 эВ и характеризуется значением эффективной плотности поверхностных состояний ~(3/5)·1011эВ-1·см-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.