Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1998, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, выпуск 6
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Джумаев Б.Р.
Роль макродефектов в электронных и ионных процессах, протекающих в широкозонных полупроводниках A
II
B
VI
641
Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А.
Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций --- источники дислокационного поглощения и излучения в полупроводниковых кристаллах A
II
B
VI
646
Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф.
Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией
654
Вавилова Л.С., Иванова А.В., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С., Арсентьев И.Н., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Пихтин Н.А., Фалеев Н.Н.
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP
658
Электронные и оптические свойства полупроводников
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А.
Переход диэлектрик--металл под действием давления в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Se (x=<0.03), облученных электронами
663
Кашерининов П.Г., Матюхин Д.Г.
Индентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов
668
Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А.
О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка
673
Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Таджи-Аглаева С.Г., Эргашев Р.М.
Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцем и германием
676
Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович З., Ромчевич Н., Хохлов Д.Р.
Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках A
IV
B
VI
, легированных элементами III группы
679
Боднарь И.В.
Инфракрасные спектры отражения и спектры комбинационого рассеяния света твердых растворов Cu
x
Ag
1-x
GaS
2
684
Берман Л.С.
Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент
688
Дощанов К.М.
Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами
690
Камилов И.К., Степуренко А.А., Ковалев А.С.
Автосолитоны в InSb в магнитном поле
697
Тагиев О.Б., Гашимова Т.Ш., Аскеров И.М.
Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристалла MnGaInS
4
: Eu
701
Агринская Н.В., Козуб В.И.
Экспериментальное проявление коррелированных прыжков в температурных зависимостях проводимости легированного CdTe
703
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Теруков Е.И., Мездрогина М.М.
Примесные атомы эрбия в кремнии
708
Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С.
Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии
712
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Бердинобатов А., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Саркисова В.М.
Наведенный фотоплеохроизм p-GaAlAs--p--n-GaAs структур
714
Антюшин В.Ф., Арсентьев И.Н., Власов Д.А.
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga
2
Se
3
--GaAs
718
Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Кузнецов О.А.
Особенности квантового эффекта Холла в широкой потенциальной яме p-Ge
1-x
Si
x
/Ge/p-Ge
1-x
Si
x
721
Низкоразмерные системы
Кибис О.В.
Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле
730
Алешкин В.Я., Данильцев В.М., Мурель А.В., Хрыкин О.И., Шашкин В.И.
Глубокие состояния в delta-легированном кремнием GaAs
733
Бондаренко В.В., Забудский В.В., Сизов Ф.Ф.
Электрон-фононное взаимодействие и подвижность электронов в квантово-размерных структурах II типа PbTe / PbS
739
Физика полупроводниковых приборов
Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И.
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
743
Гергель В.А., Тимофеев М.В., Зеленый А.П.
О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах
748
Кюрегян А.С.
Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров с электростатическим управлением. III. Скрытый затвор
752
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук