Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Наведенный фотоплеохроизм p-GaAlAs--p--n-GaAs структур
1Физико-технический институт Акадении наук Туркмении, Ашхабад, Туркмения
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Экспериментально исследована поляризационная фоточувствительность фотопреобразовательных структур анодный окисел-p-Ga0.3Al0.7As-p-n-GaAs, возникающая при наклонном падении линейно-поляризованного излучения на покрытую анодным окислом приемную плоскость. Установлено, что наведенный фотоплеохроизм структур увеличивается с ростом угла падения по квадратичному закону и в длинноволновой спектральной области (homega<1.5 эВ) определяется оптическими процессами на границе воздух-анодный окисел. Обнаруженный "провал" в спектральной зависимости коэффициента наведенного фотоплеохроизма в диапазоне 1.6-3 эВ связывается с явлением просветления, критерием которого может служить падение наведенного фотоплеохроизма PI->0. Сделан вывод о возможности применения поляризационной спектроскопии для диагностики просветления в фотопреобразовательных структурах на основе GaAlAs-GaAs.
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной, Н.И. Протасов. ФТП, 3, 1324 (1969)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Н.С. Зимогорова, Д.Н. Третьяков. ФТП, 3, 1633 (1969)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С. Табаров, Ф.М. Таджибаев. ФТП 12, 285 (1978)
- Ж.И. Алферов, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
- А.Н. Именков, А.А. Стамкулов, Т.И. Таурбаев, Б.В. Царенков, В.Ф. Шорин, Ю.П. Яковлев. ФТП, 12, 948 (1978)
- Ю.В. Рудь, Г.А. Медведкин. А. с. СССР, N 671634, БИ, N 41, 291 (1980)
- С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (12), 39 (1992)
- И.Н. Сорокин, В.З. Петрова, Ю.Д. Чистяков, Н.Р. Аигина, Л.Е. Гатько. Зарубеж. электрон. техн., 14 (209), 64 (1979)
- М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечного излучения (М., Наука, 1985)
- Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
- Р. Аззам, М. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 309 (1997)
- В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, А.В. Симашкевич, В.А. Щербань, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 800 (1997)
- G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
