Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2002, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, выпуск 9
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Вилисова М.Д., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Торопов С.Е., Чалдышев В.В.
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
1025
Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З.
Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110)
1031
Электронные и оптические свойства полупроводников
Моцкин В.В., Олейнич-Лысюк А.В., Раранский Н.Д., Фодчук И.М.
Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода
1035
Рогачева Е.И., Кривулькин И.М.
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах PbTe--MnTe
1040
Степанов Н.П., Грабов В.М.
Электрон-плазмонное взаимодействие в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута
1045
Серегин Н.П., Немов С.А., Иркаев С.М.
Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах
67
Ga(
67
Zn) и
67
Cu(
67
Zn)
1049
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И.
Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al
2
O
3
, полученных методом химического транспорта
1052
Егоров А.Ю., Семенова Е.С., Устинов В.М., Hong Y.G., Tu C.
Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких и тяжелых дырок в упругонапряженном GaAsN
1056
Карзанов В.В., Марков К.А., Сдобняков В.В., Демидов Е.С.
Изменения свойств ионно-синтезированной гетеросистемы Si
x
N
y
--Si в результате термических и ионно-лучевых обработок
1060
Никольский Ю.А.
Оптическая память гетероструктуры n-InSb--SiO
2
--p-Si
1065
Васильев В.В., Кравченко А.Ф., Машуков Ю.П.
Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In--SiO
2
--Cd
0.28
Hg
0.72
Te с непрозрачным полевым электродом
1068
Воловик Б.В., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Ковш А.Р., Цацульников А.Ф., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Устинов В.М.
Влияние локализации носителей на оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1072
Кузнецов Г.В.
Прохождение носителей заряда в контакте металл--сверхпроводящий полупроводник
1077
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я.
Адсорбция и трансформация молекул C
60
на поверхности (100) Si
1084
Низкоразмерные системы
Соболев М.М., Устинов В.М., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н.
Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs
1089
Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Черкашин Н.А., Крыжановская Н.В., Жуков А.Б., Малеев Н.А., Михрин С.С., Васильев А.П., Селин Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Бимберг Д., Алфёров Ж.И.
Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs
1097
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Венгер Е.Ф.
Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом
1105
Астрова Е.В., Ратников В.В., Ременюк А.Д., Шульпина И.Л.
Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния
1111
Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Селькин А.В., Шадрин Е.Б., Ильинский А.В., Боейинк Р.
Гистерезис фотонной зоны в фотонном кристалле VO
2
при фазовом переходе полупроводник--металл
1122
Физика полупроводниковых приборов
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fuhs W., Froitzheim A.
Фотоэлектрические явления в солнечных элементах ZnO(ITO)/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al
1128
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Подливаев А.И.
Высокочастотный отклик и нелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия
1133
Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А.
Исследование распределений потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии
1138
Булаев П.В., Капитонов В.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б., Николаев Д.Н., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Бондарев А.Д., Залевский И.Д., Тарасов И.С.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
1144
Персоналии
Эдуард Мушегович Казарян (к шестидесятилетию со дня рождения )
1149
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme