Прохождение носителей заряда в контакте металл--сверхпроводящий полупроводник
Кузнецов Г.В.1
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Рассмотрены основные механизмы прохождения носителей заряда в контакте металл-сверхпроводящий полупроводник. Проведены расчеты вольт-амперной характеристики контакта для токов термоэлектронной, термополевой и туннельной эмиссии. Определены зависимости условий токопрохождения от значений параметров контакта и приложенного напряжения. Показано, что переход полупроводника в сверхпроводящее состояние приводит к уменьшению тока через контакт в интервале напряжений, определяемых высотой потенциального барьера и параметром энергетической щели сверхпроводника.
- Е.Л. Вольф. Принципы электронной туннельной спектроскопии (Киев, Наук. думка, 1990). [Пер. с англ.: E.L. Wolf. Principles of electron tunneling spectroscopy (N.-Y., Clarendon Press, 1985)]
- J. Lesueur, L.H. Greene, W.L. Fieldmann, A. Inam. Physica C, 191, 325 (1991)
- B.J. van Wees, P. de Vries, P. Magnee, T.M. Klapwijk. Phys. Rev. Lett., 69, 510 (1992)
- R. Kummel, H. Plehn, U. Schussler. Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, 1996) V11.E2, p. 3387
- M. Belogolovskii, M. Grajcar, P. Kus, A. Plecenik, S. Benaska, P. Seidel. Phys. Rev. B, 59, 9617 (1999)
- Ф.В. Комиссинский, Г.А. Овсянников, З.Г. Иванов. ФТТ, 43, 769 (2001)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of semiconductor devices (N.-Y., Wiley, 1981)]
- Г. Бейтмен, А. Эрдейн. Таблицы интегральных преобразований (М., Наука, 1969). т. 1
- Г.В. Кузнецов. Письма ЖЭТФ, 74, 556 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.