Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 8
Данченков А.А., Лигачев В.А., Попов А.И.
Морфология, проводимость и эффект псевдолегирования в аморфных и аморфно-кристаллических пленках C : H
1233
Ембергенов Б., Корсунская Н.Е., Рыжиков В.Д., Гальчинецкий Л.П., Лисецкая Е.К.
Структура центров свечения в кристаллах ZnSe
1240
Дмитриев С.Г., Ждан А.Г., Маркин Ю.В.
Идентификация многозарядных объемных уровней при релаксационной спектроскопии границы раздела полупроводник-диэлектрик
1247
Андрюшин Е.А., Силин А.П.
Кулоновское взаимодействие носителей в тонких полупроводниковых нитях
1256
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ диода
1262
Ибрагимова М.И., Файзрахманов И.А., Хайбуллин И.Б., Саинов Н.А.
Трансформация кристаллической структуры Cd
x
Hg
1-x
Te при ионной имплантации
1276
Шматов А.А.
Обработка спектров релаксационной спектроскопии глубоких уровней методом математического моделирования
1282
Сафронов Л.Н.
Диффузия компонентов и примесей в кластеризующихся твердых растворах
1286
Амиров Р.X., Гавриленко В.И.
Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы
1297
Васильев А.В., Зингер Г.М., Розенфельд Ю.Б., Рыскин А.И.
Фотоионизация иона Fe
2+
в ZnS: релаксация решетки
1305
Кадушкин В.И., Шангина Е.Л.
Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/Al
x
Ga
1-x
As разнесенного типа
1311
Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Сергеев Д.В., Федоров Л.М., Шерняков Ю.М.
Электрические свойства эпитаксиальных p-n-структур из GaP на Si-подложках
1319
Гасан-заде С.Г., Шепельский Г.А.
Рекомбинационные механизмы и кинетические явления в одноосно-напряженном Cd
x
Hg
1-x
Te
1326
Коваленко А.В., Бочкова Т.М.
Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) --- планарный фотоприемник ZnSe
x
Te
1-x
-ZnSe
1335
Кабанов В.Ф., Свердлова А.М.
Исследование фотомагнитных свойств пленок магнитного полупроводника Eu
1-x
Sm
x
O
1340
Алешкин В.Я., Аншон А.В., Карпович И.А.
Поляризационная зависимость межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs
1344
Вовк О.В., Лелеченко В.П., Солошенко В.И., Ройзин Я.О., Якунина В.Н
Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO
2
после радиационных воздействий
1349
Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П., Патракеев С.П., Суриков И.Н., Шахлевич Л.Н.
Влияние нитридизации на радиационное изменение электрофизических свойств МДП структур на основе кремния
1354
Онопко Д.Е., Рыскин А.И.
Использование кластерного приближения для исследования легированного кристалла кремния
1361
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Сазонов А.Ю.
Влияние концентрации азота на микроструктуру и темновую проводимость пленок alpha-Si
1-x
N
x
:H
1365
Рыскин А.И., Лангер Ежи М.
Релаксация решетки при фотоионизации глубоких примесей различной природы
1369
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии
1371
Болотов Л.Н., Козлов В.А., Макаренко И.В., Титков А.Н.
Визуализация поверхности (111) кремниевых шайб p-типа в атмосферных условиях с помощью сканирующего туннельного микроскопа
1375
Галина Т.М., Володько В.Г., Демидов Е.С., Подчищаева О.В.
Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия
1379
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Мирец А.Л., Колесник С.П., Зыков Г.А., Никитин М.С.
Магнитные свойства чистых и легированных индием монокристаллов Cd
0.2
Hg
0.8
Te при низких температурах
1381
А. Н. Вейс
Энергетический спектр вакансий халькогена в ионно-имплантированном сульфиде свинца
1384
Выграненко Ю.К., Слынько В.В., Слынько Е.И.
Глубокие состояния в твердых растворах Pb
1-x
Sn
x
Te, легированных галлием
1387
Куликов Г.С., Мездрогина М.М., Першеев С.К., Абдурахманов К.П.
Аморфный гидрированный кремний, легированный диспрозием
1389
Куликов Г.С., Мездрогина М.М., Першеев С.К.
Диффузионное легирование серебром аморфного гидрированного кремния с примесью бора
1392
Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
О зависимости радиационной стойкости интенсивности люминесценции твердых растворов соединений A
III
B
V
от их состава
1395
Керимова Т.Г., Гусейнов Т.Д., Гулиев Р.А., Мамедова И.А., Бабаев Т.Р.
Оптические свойства твердых растворов CdGa
2
S
4x
Se
4(1-x)
1398
Владимирова Е.В., Гусятников В.Н., Журавлев К.А., Иванченко В.А., Павлов В.Г.
Влияние глубоких уровней на эффекты поля в гомогенных периодических полупроводниковых структурах на основе кремния
1400
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук