"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs разнесенного типа
Кадушкин В.И.1, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 15 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Содержит экспериментальные данные по измерению зависимостей проводимости sigma от температуры T и зависимостей при 4.2 K тока от величины тянущего электрического поля E для образцов, представляющих так называемые разнесенные решетки, т. е. набор квантовых ям с двумерным электронным газом (2 МЭГ) в GaAs, разделенных барьерами из Al0.3Ga0.7As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.