Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 11
Колесников Н.В., Ломасов В.Н., Мальханов С.Е.
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
1921
Либенсон Б.Н.
Теория формирования эмиссионного потока Gamma-электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством
1927
Бобылев Б.А., Овсюк В.Н., Севастьянов С.Б., Усик В.И.
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
1932
Караваев Г.Ф., Ткаченко Е.А., Уйманов Е.В.
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа A
III
B
V
1938
Беклемышев В.И., Маслов А.П., Махонин И.И., Морозов А.Ф., Петров Ю.Н., Пустовой В.И.
Релаксация фотопотенциала кремния в электролите
1943
Берман Л.С., Клингер П.М., Фистуль В.И.
Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости
1947
Агекян В.Ф., Александров Б.Г., Степанов Ю.А.
Спектральные и временные характеристики термически делокализованных экситонов в твердом растворе CdS
1-x
Se
x
1951
Белоусова Т.В., Неизвестный И.Г., Садофьев Ю.Г., Супрун С.П., Шерстякова В.Н., Шумский В.Н.
Надбарьерный фототок в гетеропереходах p-Ge/n-GaAs
1955
Берман Л.В., Селиверстов А.И.
Нейтрализация мелких примесей в кремнии светом из области фундаментального поглощения
1959
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Макарова Т.Л., Румянцев Б.Л., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл-полупроводник
1966
Стыс Л.Е.
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
1971
Захарова А.А., Рыжий В.И.
О генерации звука при воздействии на поверхность полупроводника лазерного излучения
1976
Быковский В.А., Голубев Н.Ф., Долгих Н.И.
Излучательная рекомбинация в легированном глубокими примесями и облученном германии
1981
Кольцов Г.И., Крутенюк Ю.В.
Туннелирование и поверхностные состояния в контакте Au-InAs p-типа
1986
Корнеева Д.А., Мазур Е.А., Руденко А.И.
Радиационно индуцированная стратификация заряда в узкозонных полупроводниках
1992
Толстихин В.И., Долманов И.Н.
Нелинейно-оптические явления в волноводной P-i-N ДГС при эффекте Франца-Келдыша
1997
Канцер В.Г., Малкова Н.М., Тофан В.А.
Электронная зонная структура монослойных сверхрешеток (111) из узкозонных полупроводников A
IV
B
VI
2006
Безлюдный С.В., Карпов В.Г., Колесников Н.В., Якименко А.Н.
Механизм генерации заряда в МДП структуре
2013
Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т.
Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb
1-x
Sn
x
Te<In>
2019
Казанский А.Г., Миличевич Е.П.
Дефектообразование в a-Si : H при дегидрогенизации и оптической деградации
2027
Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
Кинетика эффекта Стеблера-Вронского в нелегированных пленках a-Si : Н
2030
Брандт Н.Б., Гаськов А.М., Ладыгин Е.А., Скипетров Е.П., Хорош А.Г.
О положении локальных уровней радиационных дефектов в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Te, облученных протонами
2034
Ковалев А.Н., Остробородова В.В., Парамонов В.И., Фоломин П.И.
Проявление неоднородностей в нелегированных халькогенидах свинца по гальваномагнитным свойствам
2039
Малик А.И., Гречко В.А., Грушка Г.Г.
Механизм генерации электрических колебаний, усиления фототока и S-образной ВАХ в ПДП структурах
2049
Мусатов А.Л., Гейзер С.В., Коринфский А.Д.
Поверхностные состояния фосфида индия, определяющие формирование барьера Шоттки
2056
Голикова О.А., Грехов А.М., Сальков Т.Е.
Влияние трехцентровых связей на электронные свойства аморфного гидрированного кремния
2060
Арутюнян В.М., Варданян С.X., Маргарян А.Л.
Очувствление полупроводников приповерхностным полем, возникающим при контакте с электролитом
2062
Карзанов В.В., Павлов П.В., Демидов Е.С.
Влияние ионной бомбардировки на кинетику распада твердого раствора хрома в кремнии
2064
Витман Р.Ф., Витовский Н.А., Лебедев А.А., Машовец Т.В., Налбандян Л.В.
Исследование скоплений компенсирующих центров в n-Si
2066
Васильев А.Э., Касаткин В.А., Савельев В.П.
Квантовый выход люминесценции иттерия в фосфиде индия
2069
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Седов В.Е., Цацульников А.Ф.
Ag
Ga
--- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
2072
Беговатов В.Е., Барышев Н.С., Белый Н.Н., Брязкий М.Н., Горбатюк И.Н.
Рекомбинационные процессы в p-Mn
x
Hg
1-x
Te с x~=0.1
2074
Борщак В.А., Василевский Д.Л.
Влияние хода уровня Ферми на расчет туннельно-рекомбинационного тока в гетеропереходе
2076
Кашкаров П.К., Петров В.И., Птицын Д.В., Тимошенко В.Ю.
Образование упорядоченных структур на поверхности GaAs при импульсном лазерном облучении
2080
Григорчак И.И., Лукиянец Б.А., Ковалюк З.Д., Козьмик И.Д., Бахматюк Б.П., Бойчук В.В.
Влияние интеркаляции литием на положение уровня Ферми и концентрацию свободных носителей заряда в теллуриде висмута
2083
Дрозд В.Е., Романычев А.И., Рыков С.А., Рыкова М.А., Ципер Е.В.
Туннельные МДП контакты на основе PbTe, полученные методом химической сборки
2085
Дружинина Л.В., Молодцова Е.В., Кожухова Е.А., Поляков А.Я., Попков А.Н., Тишкин М.В., Шленский А.Л.
Изучение спектра глубоких центров в антимониде индия методом РСГУ
2088
Горя О.С., Ковалев Л.Е., Коротков В.А., Маликова Л.В., Симашкевич А.В.
Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe
2090
Белов Н.П., Прокопенко В.Т., Яськов А.Д.
k· p-Параметры полупроводников, рассчитанные методом нелокального эмпирического псевдопотенциала
2093
Тетеркин В.В., Белоконь С.А.
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2096
Гайдуков Ю.П., Гаськов А.М., Малинский И.М., Никифоров В.Н., Васильева О.Н.
Напряжения несоответствия в гетероструктуре Рb
0.93
Sn
0.07
Se-PbS
0.05
Se
0.95
2098
Козуб В. И.
Новые книги по полупроводникам
2101
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук