"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
Колесников Н.В., Ломасов В.Н., Мальханов С.Е.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Выполнено сравнительное исследование процессов накопления дивакансий в n- и p-кремнии с различными уровнями легирования в широком диапазоне интенсивностей облучения электронами с энергией 900 кэВ. Установлено, что в n- и p-кремнии с концентрациями носителей заряда 5·1015 и 1·1015 см-3 соответственно скорость введения дивакансий квадратично растет с интенсивностью облучения, а в n-кремнии с концентрацией 6·1014 см-3 растет линейно. Полученные результаты объяснены с учетом изменений зарядовых состояний вакансий при облучении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.