"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория формирования эмиссионного потока Gamma-электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством
Либенсон Б.Н.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Рассмотрены теоретические аспекты проблемы энергетического распределения выходящего в вакуум потока Gamma-электронов из ОЭС фотокатодов. Исследование проведено для диапазона концентрации легирующей акцепторной примеси, в котором испускание поверхностных "низкочастотных" плазмонов в потенциальной яме изгиба зон является основным механизмом рассеяния Gamma-электронов по энергии. Подчеркивается важное влияние формы распределения потенциала в области изгиба зон у ее внутренней границы с дырочной плазмой на интенсивный характер взаимодействия электронов с поверхностной модой колебаний этой плазмы. Расчет показывает, что вероятность такого процесса за время одного прохода электрона через область изгиба зон близка к 1. Анализ энергоугловой структуры функции распределения Gamma-электронов и сопоставление результатов теории с данными эксперимента позволяют сделать вывод о практически зеркальном характере отражения Gamma-электронов от внешнего барьера и о достаточно высокой степени прозрачности этого барьера, составляющей для иглообразной части потока величины порядка 10%. Близкое к 1 значение вероятности рассеяния электрона по энергии за время его прохода через область изгиба зон и большая величина прозрачности барьера эмиттер--вакуум представляют собой два аргумента, заставляющих усомниться в реальности известной идеи о поверхностном квантовании при приложении ее к интерпретации спектра эмиссии Gamma-электронов из ОЭС фотокатодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.