"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
Бобылев Б.А., Овсюк В.Н., Севастьянов С.Б., Усик В.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Развита теория метода емкостной модуляционной спектроскопии глубоких уровней (МСГУ) в поверхностно-барьерных структурах с неоднородным распределением примесей и предложена его экспериментальная реализация. Достоинством метода является возможность наряду с параметрами глубоких уровней (энергетические положения, сечения захвата для основных носителей заряда, распределенная концентрацией по координате в приповерхностном слое) определять и профиль концентрации мелкой (легирующей) примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.