"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование процессов квазибаллистического транспорта электронов в прямозонных полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
Караваев Г.Ф., Ткаченко Е.А., Уйманов Е.В.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Исследование субмикронных n+-n-n+-структур из прямозонных бинарных полупроводниковых соединений типа AIIIBV с помощью численного моделирования методом макрочастиц с использованием процедуры Монте-Карло показало, что при гелиевой температуре в условиях квазибаллистического транспорта электронов, когда единственным существенным механизмом рассеяния является спонтанная эмиссия продольных полярных оптических фононов, при постоянной разности потенциалов на контактах возможны регулярные колебания электрического тока в СВЧ диапазоне. Расчеты показали, что амплитуда колебаний тока тем больше, чем меньше длина электрон-фононного взаимодействия. Наибольшая амплитуда колебаний электрического тока наблюдалась у структуры из InP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.