"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронная зонная структура монослойных сверхрешеток (111) из узкозонных полупроводников AIVBVI
Канцер В.Г., Малкова Н.М., Тофан В.А.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

На основе симметрийного анализа и p-модели зонного спектра для полупроводников AIVBVI развита теория электронного спектра монослойных сверхрешеток (МСР) (IVAVIA)1 (IVBVIB)1, ориентированных вдоль оси [111]. Установлено, что сверхрешетки (IVAVIA)m (IVBVIB)n при m+n=3l (m, n, l - целые числа) имеют пространственную группу D3d1 и гексагональную структуру, а при m+n# 3l - группу D53d и ромбоэдрическую решетку. Предсказано, что актуальные зонные экстремумы МСР расположены в точках L и Gamma зоны Бриллюэна. Рассчитан ряд зонных параметров для МСР типа (PbTe)1(SnTe)1 и (PbS)1(PbTe)1 и показано, что энергетический спектр первых МСР является инверсным, а спектр вторых - нормальным. Изучена картина перестройки спектра сверхрешеток (PbTe)1(SnTe)1 и (PbS)1(PbTe)1 в зависимости от фактора деформации и установлено, что в этих МСР возможен ряд переходов от полупроводникового спектра к полуметаллическому. Показано, что раз упорядочение в сверхрешетке (PbTe)1(SnTe)1 приводит к уменьшению энергетических зазоров в спектре, а в (PbS)1(PbTe)1- к их росту.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.