"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннелирование и поверхностные состояния в контакте Au-InAs p-типа
Кольцов Г.И., Крутенюк Ю.В.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Исследована температурная зависимость вольтамперных характеристик контакта Au-InAs p-типа (NA=6·1016 см-3). Показана возможность выделения на фоне преобладающего влияния диэлектрического зазора (2-3 нм) и большой концентрации поверхностных состояний, обусловливающих появление инверсионной приповерхностной области, основных классических механизмов прохождения тока --- полевой эмиссии, термополевой и термоэмиссии. Определены диапазоны температур и напряжений для каждого механизма. Обнаружена немонотонность зависимости проводимости от напряжения, связанная с появлением двух ступенчатого туннелирования через инверсионную область. Высота барьера, определенная из температурной зависимости ВАХ в области термоэмиссии и уточненная по температуре появления двухступенчатого туннелирования, была равна 0.38 эВ. По поведению производной проводимости в области полевой эмиссии было определено, что плотность поверхностных состояний, участвующих в туннелировании, увеличивается к краям запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.