"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация в легированном глубокими примесями и облученном германии
Быковский В.А., Голубев Н.Ф., Долгих Н.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Исследовалась низкотемпературная (T=4.2 K) фотолюминесценция (ФЛ) легированных глубокими примесями Pd, Ni, Au и облученных электронами кристаллов германия. В процессе отжига облученных материалов в спектрах ФЛ обнаружены электронно-колебательные полосы излучения с бесфононными линиями. Установлено, что энергетическое положение линий зависит от типа мелкой донорной примеси. Проведенный анализ условий и процессов дефектообразования и отжига позволил предположить образование комплексов TiDsV, включающих междоузельные атомы переходных металлов Ti, доноры Ds и вакансии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.